[发明专利]用同步耦合编程非易失性存储器有效
| 申请号： | 201180025874.7 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102906820A | 公开（公告）日： | 2013-01-30 |
| 发明（设计）人： | N.莫克莱西;H.钦;东谷政昭 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于编程非易失性存储器的处理通过相邻字线的同步耦合能够实现更快速的变成速度和/或更准确的编程。编程的处理包括升高连接到一组连接的非易失性存储元件的字线集的电压。该字线集包括所选字线（WLn）、与所选字线相邻的未选字线（WLn+1/WLn-1）以及其他未选字线（WLunsel）。在升高该字线集的电压之后，该处理包括将所选字线进一步升高到编程电压（Vpgm）以及与将所选字线升高到编程电压同时，将与所选字线相邻的未选字线进一步升高到一个或多个电压电平（Vint1，Vint2，Vint3）。该编程电压致使所述非易失性存储元件中的至少一个经历编程。 | ||
| 搜索关键词： | 同步 耦合 编程 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种编程非易失性存储器的方法，包括：升高连接到一组连接的非易失性存储元件的字线集的电压，该字线集包括所选字线、与所选字线相邻的未选字线以及其他未选字线；在升高该字线集的电压之后，将所选字线进一步升高到编程电压；以及在升高该字线集的电压之后，与将所选字线升高到编程电压同时，将与所选字线相邻的未选字线进一步升高到一个或多个电压电平，该编程电压致使所述非易失性存储元件中的至少一个经历编程。
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