[发明专利]用同步耦合编程非易失性存储器有效
| 申请号: | 201180025874.7 | 申请日: | 2011-05-23 |
| 公开(公告)号: | CN102906820A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
| 发明(设计)人: | N.莫克莱西;H.钦;东谷政昭 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/56 | 分类号: | G11C11/56;G11C16/10;G11C16/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 同步 耦合 编程 非易失性存储器 | ||
1.一种编程非易失性存储器的方法,包括:
升高连接到一组连接的非易失性存储元件的字线集的电压,该字线集包括所选字线、与所选字线相邻的未选字线以及其他未选字线;
在升高该字线集的电压之后,将所选字线进一步升高到编程电压;以及
在升高该字线集的电压之后,与将所选字线升高到编程电压同时,将与所选字线相邻的未选字线进一步升高到一个或多个电压电平,该编程电压致使所述非易失性存储元件中的至少一个经历编程。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
升高连接到该组连接的非易失性存储元件的该字线集的电压包括将与所选字线相邻的未选字线的电压升高到第一电压,并将所述其他未选字线的电压升高到该第一电压;以及
升高与所选字线相邻的未选字线包括将与所选字线相邻的未选字线升高到大于该第一电压的第二电压。
3.如权利要求1所述的方法,其中:
升高与所选字线相邻的未选字线包括将与所选字线相邻的未选字线升高到第二电压,然后将与所选字线相邻的未选字线降低到通过电压以防止在编程期间的编程干扰。
4.如权利要求1所述的方法,其中升高连接到该组连接的非易失性存储元件的字线集的电压包括:
将与所选字线相邻的未选字线升高到在编程电压以下的中间电压;
与将与所选字线相邻的未选字线升高到中间电压同时,将所述其他未选字线升高到通过电压,该通过电压在该编程电压以下;以及
与将与所选字线相邻的未选字线升高到中间电压同时,将所选字线升高到在该编程电压以下的电平。
5.如权利要求1所述的方法,其中:
升高连接到该组连接的非易失性存储元件的字线集的电压包括将与所选字线相邻的未选字线的电压增加到第一电压,并将所述其他未选字线的电压增加到比该第一电压大的第二电压;
升高与所选字线相邻的未选字线包括将与所选字线相邻的未选字线升高到大于该第二电压的第三电压;以及
该方法还包括将与所选字线相邻的未选字线降低到第二电压,并在编程期间将与所选字线相邻的未选字线保持在该第二电压。
6.如权利要求1所述的方法,其中升高与所选字线相邻的未选字线包括:
将与所选字线相邻的未选字线升高到并保持在第一电平;
将与所选字线相邻的未选字线从所述第一电平升高到第二电平并保持在该第二电平;以及
将与所选字线相邻的未选字线从该第二电平升高到第三电平并保持在第三电平。
7.如权利要求1-6的任意一项所述的方法,其中:
将与所选字线相邻的未选字线升高到一个或多个电平包括将与所选字线相邻的未选字线的电压增加作为字线位置的函数的量。
8.如权利要求1-7的任意一项所述的方法,其中:
在一系列周期中重复升高所述字线集的电压、升高所选字线以及升高与所选字线相邻的未选字线;
将与所选字线相邻的未选字线升高到一个或多个电平包括将与所选字线相邻的未选字线升高在相继的周期中增加的量;以及
该编程电压在相继的周期中增加。
9.如权利要求1-8的任意一项所述的方法,还包括:
在升高该字线集的电压之后,与将所选字线升高到该编程电压同时,将紧接于与所选字线相邻的字线之后的未选字线升高到一个或多个电压电平。
10.一种非易失性存储装置,包括:
多个非易失性存储元件;
连接到该多个非易失性存储元件的字线,用于编程处理,所述字线包括所选字线、与所选字线相邻的未选字线以及其他未选字线;
连接到该多个非易失性存储元件的位线;以及
经由所述字线和所述位线与该多个非易失性存储元件通信的一个或多个管理电路,所述一个或多个管理电路升高字线的电压,在升高字线的电压之后,所述一个或多个管理电路将所选字线升高到编程电压,在升高字线的电压之后,在与将所选字线升高到编程电压同时,所述一个或多个管理电路将与所选字线相邻的未选字线升高到一个或多个电压电平。
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