[发明专利]垂直直列CVD系统无效
| 申请号： | 201180021614.2 | 申请日： | 2011-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN102859655A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 栗田真一;J·库德拉;S·安瓦尔;J·M·怀特;D-K·伊姆;H·沃尔夫;D·兹瓦罗;稻川真;I·莫里 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林岭 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中的垂直等离子体产生器，其允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为一双系统，藉此将各自具有其自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载这些基板。每一机器人可使用该系统内的两个处理线。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 cvd 系统 | ||
【主权项】：
一种设备，所述设备包含：基板装载站，所述基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置；机器人，所述机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板及将所述基板置放于所述基板装载站中；装载锁定室，所述装载锁定室耦合至所述基板装载站，所述装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置；以及处理腔室，所述处理腔室耦合至所述装载锁定室，所述处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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