[发明专利]垂直直列CVD系统

说明书

发明背景

发明领域

本发明的实施例大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapor deposition;CVD)系统。

相关技术的描述

CVD是一种将化学前驱物引入处理腔室中、发生化学反应以形成预定化合物或材料，及将该预定化合物或材料沉积于处理腔室内的基板上的工艺。存在若干种CVD工艺。一种CVD工艺为在腔室中点燃等离子体以增强前驱物之间的反应的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition;PECVD)。可藉由使用感应耦合等离子体源或电容耦合等离子体源而完成PECVD。

CVD工艺可用以处理大面积基板，诸如平板显示器或太阳电池板。CVD可用以沉积多层，诸如用于晶体管的硅基薄膜。在此项技术中需要一种降低平板显示器装置的制造成本的方法及设备。

发明内容

本发明大体而言关于一种垂直CVD系统，该垂直CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为水平居中的垂直等离子体产生器，该垂直等离子体产生器允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为双系统，藉此将各自具有自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载基板。每一机器人可进入该系统内的两个处理线。

在一个实施例中，公开了一种设备。该设备包括：基板装载站；机器人，该机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板及将该基板置放于该基板装载站中；装载锁定室，该装载锁定室耦合至该基板装载站。该装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置；以及处理腔室，该处理腔室耦合至该装载锁定室。该基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置。该处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。

在另一实施例中，公开了一种设备。该设备包括：两个基板装载站；两个机器人，该两个机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板；两个装载锁定室；以及两个处理腔室。每一基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置。每一机器人可操作以将基板置放于每一基板装载站中。每一装载锁定室耦合至相应的基板装载站，每一装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置。每一处理腔室耦合至相应的装载锁定室，每一处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。

在另一实施例中，一种方法包括：使用第一机器人自第一基板堆迭模块取得第一基板；将该第一基板置放于第一位置中的第一基板装载站中；使用该第一机器人自该第一基板堆迭模块取得第二基板；将该第二基板置放于与该第一基板装载站分离的第二位置中的第二基板装载站中；使用第二机器人自第二基板堆迭模块取得第三基板；将该第三基板置放于与该第一位置分离的第三位置中的该第一基板装载站中；使用该第二机器人自该第二基板堆迭模块取得第四基板；以及将该第四基板置放于与该第二位置分离的第四位置中的该第二基板装载站中。

附图简要说明

因此，可通过参考实施例（其中一些实施例图示于附加附图中），获知上文所简要概述的本发明的更为具体的描述，从而可详细理解本发明的上述特征的方式。然而，应注意，附加附图仅图示本发明的典型实施例，且因此不欲视为本发明范畴的限制，因为本发明可允许其他同等有效的实施例。

图1为根据一个实施例的处理系统的示意图。

图2为图1的处理系统的示意俯视图。

图3为图1的处理系统的示意侧视图。

图4为图1的处理腔室的近视图。

图5为图1的处理系统的示意后视图。

图6A为图1的处理腔室的示意横截面图。

图6B为图1的处理腔室的部分侧视图。

图7为用于图1的处理系统的抽空系统的图解说明。

图8为图1的处理腔室的等角视图。

图9为用于图1的处理系统的基板定序的俯视图解说明。

图10A至图10C为图1的处理腔室的示意图。

图11A及图11B为用于图1的处理系统中的基板载体的示意图。

图12A及图12B为图示针对图1的处理系统将基板自装载锁定室转移至处理腔室的示意图。

图13为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的示意等角视图。