[发明专利]垂直直列CVD系统有效

专利信息
申请号: 201180020889.4 申请日: 2011-04-29
公开(公告)号: CN102859034A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 栗田真一;J·库德拉;S·安瓦尔;J·M·怀特;任东吉;H·沃尔夫;D·兹瓦罗;稻川真;I·莫里 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/44;H01L21/205
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 陆勍;侯颖媖
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明大体上关于一种垂直CVD系统,所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上,但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器,所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统,凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。
搜索关键词: 垂直 cvd 系统
【主权项】:
一种设备,包括:腔室主体;多个等离子体发生器,所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸,以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板,每一个等离子体发生器具有第一端和第二端,所述第一端邻近于所述腔室主体的底部,所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部;第一波导,耦合至每一个等离子体发生器的所述第一端;第二波导,耦合至每一个等离子体发生器的所述第二端;第一电源,耦合至每一个第一波导,所述第一电源安置于所述腔室主体外;以及第二电源,耦合至每一个第二波导,所述第二电源安置于所述腔室主体外,所述第二电源以交错图案进行共同配置,以使得邻近的第二波导沿相反方向从所述等等离子体发生器延伸至相应的第二电源。
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