[发明专利]垂直直列CVD系统有效
| 申请号: | 201180020889.4 | 申请日: | 2011-04-29 |
| 公开(公告)号: | CN102859034A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
| 发明(设计)人: | 栗田真一;J·库德拉;S·安瓦尔;J·M·怀特;任东吉;H·沃尔夫;D·兹瓦罗;稻川真;I·莫里 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/44;H01L21/205 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 陆勍;侯颖媖 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明大体上关于一种垂直CVD系统,所述CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上,但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中的垂直等离子体发生器,所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统,凭借所述双系统将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载所述基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。 | ||
| 搜索关键词: | 垂直 cvd 系统 | ||
【主权项】:
一种设备,包括:腔室主体;多个等离子体发生器,所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸,以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板,每一个等离子体发生器具有第一端和第二端,所述第一端邻近于所述腔室主体的底部,所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部;第一波导,耦合至每一个等离子体发生器的所述第一端;第二波导,耦合至每一个等离子体发生器的所述第二端;第一电源,耦合至每一个第一波导,所述第一电源安置于所述腔室主体外;以及第二电源,耦合至每一个第二波导,所述第二电源安置于所述腔室主体外,所述第二电源以交错图案进行共同配置,以使得邻近的第二波导沿相反方向从所述等等离子体发生器延伸至相应的第二电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180020889.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:麦克风组件
- 下一篇:一种LED光源封装调整方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





