[发明专利]垂直直列CVD系统

说明书

发明背景

发明领域

本发明的实施例大体上关于一种垂直化学气相沉积(CVD)系统。

现有技术的描述

CVD为这样一种工艺，凭借所述工艺将化学前驱物引入处理腔室中、发生化学反应以形成预定化合物或材料，及将所述化学前驱物沉积于处理腔室内的基板上。存在若干种CVD工艺。一种CVD工艺为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，凭借所述工艺在腔室中点燃等离子体以增强前驱物之间的反应。可通过使用感应耦合的等离子体源或电容耦合的等离子体源而完成PECVD。

CVD工艺可用以处理大面积基板，诸如平板显示器或太阳电池板。CVD可用以沉积多层，诸如用于晶体管的硅基膜。在此项技术中需要一种降低平板显示器装置的制造成本的方法及设备。

发明内容

本发明大体上关于一种垂直CVD系统，所述系统具有能够处理多个基板的处理腔室。尽管将所述多个基板安置于所述处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。所述处理源为水平居中心的垂直等离子体发生器，所述垂直等离子体发生器允许在所述等离子体发生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将所述系统配置为双系统，凭借所述双系统，将各自具有它们自己的处理腔室的两个相同的处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以从处理系统装载且卸载基板。每一个机器人可使用所述系统内的两个处理线。

在一个实施例中，一种设备包括：腔室主体；多个等离子体发生器；第一波导，耦合至每一个等离子体发生器的第一端；第二波导，耦合至每一个等离子体发生器的第二端；第一电源，耦合至所述第一波导，所述第一电源安置于所述腔室主体外；以及第二电源，耦合至所述第二波导。所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸，以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板。每一个等离子体发生器具有第一端，所述第一端邻近于所述腔室主体的底部；以及第二端，所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部。第二电源安置于所述腔室主体外。第二电源以交错图案进行共同配置，以使得邻近的第二波导沿相反方向从等离子体发生器延伸至相应的第二电源。

在另一个实施例中，一种设备包括：腔室主体；多个等离子体发生器；第一波导，耦合至每一个等离子体发生器的第一端；第二波导，耦合至每一个等离子体发生器的第二端；第一电源，耦合至所述第一波导，所述第一电源安置于所述腔室主体外；以及第二电源，耦合至所述第二波导。所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸，以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板。每一个等离子体发生器具有第一端，所述第一端邻近于所述腔室主体的底部；以及第二端，所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部。第二电源安置于所述腔室主体外。第二电源以一图案进行共同配置，以使得邻近的第二波导沿相同方向从等离子体发生器延伸至相应的第二电源。

在另一个实施例中，一种设备包括：腔室主体；多个等离子体发生器；第一倾斜波导，耦合至每一个等离子体发生器的第一端；第二倾斜波导，耦合至每一个等离子体发生器的第二端；第一电源，耦合至所述第一波导，所述第一电源安置于所述腔室主体外；以及第二电源，耦合至所述第二波导。所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸，以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板。每一个等离子体发生器具有第一端，所述第一端邻近于所述腔室主体的底部；以及第二端，所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部。第二电源安置于所述腔室主体外。第二电源以交错图案进行共同配置，以使得每一个第二波导沿所述腔室主体的一侧及沿所述腔室主体的一顶壁向上延伸至每一个等离子体发生器的所述第一端。

附图简述

因此，可详细理解本发明的上述特征结构的方式，即上文简要概述的本发明的更特定描述可参照实施例进行，其中一些实施例示于附图中。然而，应注意，附图仅示出本发明的典型实施例，且因此不会被视为限制本发明的范围，因为本发明可允许其它同等有效的实施例。

图1为根据一个实施例的处理系统的示意图。

图2为图1的处理系统的示意俯视图。

图3为图1的处理系统的示意侧视图。

图4为图1的处理腔室的近视图。

图5为图1的处理系统的示意后视图。