[发明专利]垂直直列CVD系统

权利要求书

1.一种设备，包括：

腔室主体；

多个等离子体发生器，所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸，以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板，每一个等离子体发生器具有第一端和第二端，所述第一端邻近于所述腔室主体的底部，所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部；

第一波导，耦合至每一个等离子体发生器的所述第一端；

第二波导，耦合至每一个等离子体发生器的所述第二端；

第一电源，耦合至每一个第一波导，所述第一电源安置于所述腔室主体外；以及

第二电源，耦合至每一个第二波导，所述第二电源安置于所述腔室主体外，所述第二电源以交错图案进行共同配置，以使得邻近的第二波导沿相反方向从所述等等离子体发生器延伸至相应的第二电源。

2.一种设备，包括：

腔室主体；

多个等离子体发生器，所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸，以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板，每一个等离子体发生器具有第一端和第二端，所述第一端邻近于所述腔室主体的底部，所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部；

第一波导，耦合至每一个等离子体发生器的所述第一端；

第二波导，耦合至每一个等离子体发生器的所述第二端；

第一电源，耦合至每一个第一波导，所述第一电源安置于所述腔室主体外；以及

第二电源，耦合至每一个第二波导，所述第二电源安置于所述腔室主体外，所述第二电源以一图案进行共同配置，以使得邻近的第二波导沿相同方向从所述等等离子体发生器延伸至相应的第二电源。

3.一种设备，包括：

腔室主体；

多个等离子体发生器，所述多个等离子体发生器水平位于所述腔室主体内的中心且在所述腔室主体内垂直延伸，以使得在所述腔室主体内保留足够的空间用于在所述多个等离子体发生器的相对侧上处理的一个或多个基板，每一个等离子体发生器具有第一端和第二端，所述第一端邻近于所述腔室主体的底部，所述第二端邻近于所述腔室主体的顶部；

第一倾斜波导，耦合至每一个等离子体发生器的所述第一端；

第二倾斜波导，耦合至每一个等离子体发生器的所述第二端；

第一电源，耦合至每一个第一波导，所述第一电源安置于所述腔室主体外；以及

第二电源，耦合至每一个第二波导，所述第二电源安置于所述腔室主体外，所述第二电源以交错图案进行共同配置，以使得每一个第二波导沿所述腔室主体的侧面及沿所述腔室主体的顶壁向上延伸至每一个等离子体发生器的所述第一端。

4.如权利要求1－3所述的设备，其特征在于，所述多个等离子体发生器为微波发生器。

5.如权利要求4所述的设备，其特征在于进一步包括多个气体引入管，所述多个气体引入管安置于所述腔室主体内且邻近于所述多个微波发生器。

6.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述腔室主体包括一个或多个盖，所述一个或多个盖可移除以使用所述多个微波发生器，其中每一个盖具有延伸穿过所述盖的多个开口。

7.如权利要求6所述的设备，其特征在于进一步包括一个或多个真空泵，所述一个或多个真空泵与所述腔室主体耦合，以使得所述腔室主体可经由延伸穿过每一个盖的所述多个开口得以抽空。

8.如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述腔室主体安置于框架上，且其中所述腔室主体具有第一端，所述第一端固定至所述框架。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于进一步包括安置在所述框架上的聚四氟乙烯元件，且其中所述腔室主体具有第二端，所述第二端安置于所述聚四氟乙烯元件上且可沿所述聚四氟乙烯元件移动。