[发明专利]等离子处理装置无效
| 申请号： | 201180020022.9 | 申请日： | 2011-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103098183A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 真弓聪;屋代进 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在等离子处理装置中，防止排列的3个以上的电极中的内侧电极的下端部被因潜流放电引起的腐蚀性成分腐蚀。排列3个以上的板状的电极(21)。用由板状的固体电介质构成的电介质部件(30)来覆盖各电极(21)的放电生成面(27)。从设置于电极(21)的侧部的清洗喷嘴(70)喷出清洗气体。清洗气体沿着内侧的电极(21B、21C、21D)的下端面而流动。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子处理装置，使处理气体通过接近大气压的放电空间后与配置于所述放电空间的外部的被处理物接触，其特征在于，具备：3个以上的电极，各自形成为具有下端面以及与所述下端面交叉的放电生成面的板状，并按照使相邻电极彼此的所述放电生成面相对的方式，在与所述放电生成面交叉的排列方向上排列；电介质部件，其由覆盖所述各放电生成面且勾画所述放电空间的板状的固体电介质构成；和清洗喷嘴，其按照使清洗气体沿着所述3个以上的电极中的配置于内侧的电极的下端面流动的方式来喷出该清洗气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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