[发明专利]等离子处理装置无效
| 申请号: | 201180020022.9 | 申请日: | 2011-03-24 |
| 公开(公告)号: | CN103098183A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
| 发明(设计)人: | 真弓聪;屋代进 | 申请(专利权)人: | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 等离子 处理 装置 | ||
1.一种等离子处理装置,使处理气体通过接近大气压的放电空间后与配置于所述放电空间的外部的被处理物接触,其特征在于,具备:
3个以上的电极,各自形成为具有下端面以及与所述下端面交叉的放电生成面的板状,并按照使相邻电极彼此的所述放电生成面相对的方式,在与所述放电生成面交叉的排列方向上排列;
电介质部件,其由覆盖所述各放电生成面且勾画所述放电空间的板状的固体电介质构成;和
清洗喷嘴,其按照使清洗气体沿着所述3个以上的电极中的配置于内侧的电极的下端面流动的方式来喷出该清洗气体。
2.根据权利要求1所述的等离子处理装置,其特征在于,
所述清洗喷嘴配置在所述内侧的电极的下端面的与所述排列方向正交的长边方向的一端侧。
3.根据权利要求1或2所述的等离子处理装置,其特征在于,
在所述3个以上的电极的下方,隔着间隙并跨过这些电极而设置有气体导出部,所述电介质部件比所述电极更向下突出从而与所述气体导出部连结,在所述气体导出部的内部形成有与所述放电空间相连的气体导出路径,
所述清洗喷嘴按照面向所述内侧的电极与所述气体导出部之间的间隙即内侧间隙在与所述排列方向正交的长边方向的一端侧的开口的方式来配置,所述内侧间隙在所述长边方向的另一端侧的开口开放。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于积水化学工业株式会社,未经积水化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180020022.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





