[发明专利]用纳米孔的分析物测序有效
申请号: | 201180018449.5 | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102834527A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | J·H·古德拉彻;I·M·德灵顿;M·D·科林斯 | 申请(专利权)人: | 华盛顿大学 |
主分类号: | C12Q1/68 | 分类号: | C12Q1/68;B82B3/00;C12N15/11;B82Y5/00;B82Y15/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗菊华 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文提供属于使用纳米孔测序分析物单元的方法和系统。一般而言,阻拦构建体用于修饰分析物使得修饰的分析物在纳米孔的开口中中止。该中止期间,获得对应于分析物单元的离子电流水平。在改变修饰的分析物使得修饰的分析物通过开口前进之后,另一阻拦构建体再次中止分析物,允许获得代表第2分析物单元的第2离子电流水平。此过程可重复直到对各分析物单元测序。也公开实施该方法的系统。 | ||
搜索关键词: | 纳米 分析 物测序 | ||
【主权项】:
对2个或更多用至少第1阻拦构建体和第2阻拦构建体修饰的分析物单元进行测序的方法,其包括:(a)提供在包含第1导电液体介质和修饰的分析物的顺式侧和包含第2导电液体介质的反式侧之间定位的纳米孔,其中纳米孔包含提供顺式侧和反式侧之间的液体交通的开口;(b)使修饰的分析物的第1阻拦构建体在进入开口后中止修饰的分析物,由此产生第1离子电流水平,其中第1离子电流水平代表第1单元;(c)改变修饰的分析物的第1阻拦构建体,所述改变允许修饰的分析物向反式侧前进;(d)使修饰的分析物的第2阻拦构建体在进入开口后中止修饰的分析物,由此产生代表第2单元的第2离子电流水平;以及(e)将第1离子电流水平和第2离子电流水平与已知的单元的已知的离子电流水平进行比较,由此对2个或更多分析物单元进行测序。
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