[发明专利]包括选择/差分阈值电压特征的非易失性存储器感测的系统和方法

摘要

公开了用于经由具有差分阈值电压的MOS晶体管的使用来提供选择性阈值电压特性的系统和方法。在一个示例性实施例中，提供了一种金属氧化物半导体器件，其包括具有源极区、漏极区和在其之间的沟道区、在所述沟道区之上的绝缘层，以及所述绝缘层的栅极部分的半导体材料的衬底。此外，关于该器件，绝缘层的形状和/或结区的形状或注入具有在栅极至漏极与栅极至源极结之间的变化维度，以在其之间提供差分阈值电压。

主权项

一种感测电路，包括：基准列，包括基准电压节点、基准存储器存储单元、第一MOS晶体管以及第一差分阈值MOS晶体管；以及多个数据列，每个被耦合到各数据电压节点，与所述基准列并联，其中，每个数据列包括数据存储器存储单元、第二MOS晶体管以及第二差分阈值MOS晶体管；其中，所述第一和/或第二差分阈值MOS晶体管中的一个或多个是每个具有与栅极至漏极阈值电压不同的栅极至源极阈值电压的晶体管；其中，所述第一和/或第二差分阈值MOS晶体管中的一个或多个包括：第一导电性类型的半导体材料的衬底；所述衬底中的第一区和第二区，其中，所述第一和第二区是第二导电性类型的且被相互间隔开而在其之间限定沟道区；设置在所述衬底的沟道区上的绝缘层，其中，所述绝缘层包括相对绝缘部分，其包括邻近于所述第一区的第一绝缘部分和邻近于所述第二区的第二绝缘部分；以及在所述绝缘层之上的栅极部分；其中，每个绝缘部分表征所述栅极与邻近于每个绝缘部分的所述第一区或所述第二区之间的阈值电压；以及其中，所述第一绝缘部分被制造成具有变化的维度，包括不同于所述第二绝缘部分的第二厚度的第一厚度，以提供第一阈值电压，其不同于与所述相对绝缘部分相关联的第二阈值电压。