[发明专利]包括选择/差分阈值电压特征的非易失性存储器感测的系统和方法

说明书

技术领域

本发明涉及MOS电路的阈值电压特性，并且更具体地涉及与诸如闪速存储器阵列中的那些的MOS器件的差分阈值电压条件相关联的感测系统和方法。

背景技术

常规MOS系统和电路常常使用以指定阈值电压和饱和特性为特征的MOS器件。此外，某些模拟信号处理系统、诸如与阵列感测有关的那些、通电电路、比较器、比率相关锁存、缓冲器驱动及其它电路常常具有诸如增强型裕度、增加的位线/漏泄控制等的需要，这与其MOS器件特性紧密地相关联。例如，在闪速存储器中，用于感测操作的读出和放大电路可以作为此类阈值电压特性的函数进行操作以在存在于相关晶体管节点上的期望范围处或整个范围内保持线性操作。

此外，许多现有模拟闪速存储器系统包括以不能令人满意的操作点和裕度为特征的MOS电路。

总而言之，需要一种可以通过例如提供差分阈值电压特性、改善电压操作裕度或其它电压条件和/或以其它方式致使性能更加稳健来提供充分的操作条件的感测系统和方法。

发明内容

依照本文中的创新的感测系统和方法是针对经由具有差分阈值电压的MOS器件来提供选择性阈值电压特性。

在一个示例性实施例中，提供了一种金属氧化物半导体器件，其包括具有源极区、漏极区和在其之间的沟道区、在沟道区之上的绝缘层以及绝缘层的栅极部分的半导体材料的衬底。此外，关于该器件，绝缘层的形状和/或结区的形状或注入具有在栅极至漏极与栅极至源极结之间的变化维度，以在其之间提供差分阈值电压。

应理解的是前述一般描述和以下详细描述是仅仅是示例性和说明性的，并且不限制本发明，如所述。除在本文中所阐述的那些之外，可以提供其它特征和/或变体。例如，本发明可以针对公开特征的各种组合和子组合和/或在以下详细描述中公开的多个其它特征的组合和子组合。

附图说明

构成本说明书的一部分的附图图示出本发明的各种实施例和方面并连同描述一起解释本发明的原理。在所述附图中：

图1是常规感测系统的示意图。

图2是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图3A和3B是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图4是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图5是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图6是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图7A和8A是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图7B和8B是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的性能特征/特性的图表。

图9是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图10A和10B是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性系统的示意图。

图11A是依照关于本创新的某些方面的示例性器件的透视（侧视）图。

图11B是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性器件的性能特征/特性的图表。

图12是依照关于本创新的某些方面的示例性器件的透视（侧视）图。

图13是依照关于本创新的某些方面的示例性器件的透视（顶视和侧视）图。

图14是图示出依照关于本创新的某些方面的示例性器件的性能特征/特性的图表。

图15是依照关于本创新的某些方面的示例性器件的透视（顶视）图。

图16是依照关于本创新的某些方面的示例性器件的透视（顶视）图。

图17是依照关于本创新的某些方面的示例性器件的透视（顶视）图。

具体实施方式

现在将详细地对本发明进行参考，其示例在附图中被图示出。在以下描述中阐述的实施方式不表示依照要求保护的发明的所有实施方式。替代地，其仅仅是依照关于本发明的某些方面的某些示例。只要可能，相同的附图标记将遍及各图用来指示相同或类似的部分。