[发明专利]透明发光二极管晶片组件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180012916.3 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102792469A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 辛成福 | 申请（专利权）人： | 申王均 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/42 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种透明发光二极管晶片组件及其制造方法。本发明在导体发光二极管器件的外延过程中促使在透明材料晶片产生并使两面都在透明材料生长之后，再次层压透明玻璃基板，从而具有可确保较高的光亮的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 发光二极管 晶片 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种透明发光二极管晶片组件，其特征在于，包括：下部透明基板（100），其具有透光性；下部透明电极（200），其涂敷在上述下部透明基板（100），来接受电源；n‑电极（310），其通过蒸镀金属并蚀刻之后在上述下部透明电极（200）以预定的深度收容下端的方式形成；外延膜质（300），其由多个层构成，该外延膜质（300）被蒸镀在上述n‑电极（310）上之后被蚀刻，并且在施加电源时发光；p‑电极（370），其通过在构成上述外延膜质（300）的多个层中在最上端形成的p‑欧姆接触层（360）上蒸镀金属并蚀刻的方式形成；透明非导体（600），其装入在与上述n‑电极（310）和上述p‑电极（370）分别连接的下部透明电极（200）和上部透明电极（400）之间，以阻断在施加电源时产生的正极性和负极性；上部透明电极（400），其层压在上述透明非导体（600）和上述p‑电极（370）上；以及上部透明基板（500），其具有透光性，并层压在上述上部透明电极（400）上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于申王均，未经申王均许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180012916.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
