[发明专利]透明发光二极管晶片组件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种透明发光二极管晶片组件及其制造方法。更详细地，涉及一种在透明材料基板使多个发光二极管（LED：Light Emitting Diode）的外延（eptaxial）以规定间隔生长，并制造多个层压结构，从而即使在施加到各个外延（eptaxial）的电流量小，也由于具有由多个外延（eptaxial）层压的结构，就算施加低电压也能够提高光亮的透明发光二极管晶片组件及其制造方法。

即，本申请发明涉及一种在透明晶片设置多个外延（eptaxial）并通过层压结构可确保较高的光亮的透明发光二极管晶片组件及其制造方法，特别是，涉及一种在不对各个发光二极管器件材料施加高电压的情况下提供集光层（light condenser layer），从而不是通过以往的增加发光二极管器件的工作电压的方法，而是通过设置在透明晶片的多个外延（eptaxial）的层压结构来确保发光二极管组件的光亮的透明发光二极管晶片组件及其制造方法。

背景技术

通常，作为使用于制造发光二极管并决定发光二极管的颜色的化合物，有GaAs（砷化镓）、磷砷化镓（GaAsP）、磷化镓（GaP）、及氮化镓（GaN）等。

波长短的氮化铟镓（InGaN）使用于蓝色发光二极管和绿色发光二极管的制造，作为使用于白色发光二极管的制造的技术，术语InGaN是几种元素的开头字母的组合，使用铟（indium）、镓（gallium）及氮（nitrogen）的材料。

并且，波长长的磷化铝铟镓（AlInGaP）应用于红色光谱、橙色光谱及黄色光谱，称为“磷化铝铟镓”的该技术使用铝（aluminum）、铟（indium）、镓（gallium）及磷化物（phosphide）。

通常，AlInGaP（aluminum indiumgallium phosphide，磷化铝铟镓）根据与所需带隙（bandgap）及GaAs生长基板的格子匹配等各种因素，来改变Al和In的百分比（percentages）。

GaAs吸收可见光，常在生长工序的结束时去除GaAs基板，并用透明的磷化镓（0%的Al及In）基板替代。

基于磷化镓（GaP）的材料具有较高的折射率（大约3.5）。

在这样的状况下，根据斯涅尔定律（Snell's Law），如果光线大约在法线的17度（临界角）内不与发光二极管的壁面冲撞，光线则在发光二极管内反射到内部。

由于发光二极管芯片基本为直线型，因而，所反射的光进行数次的反射之后，也反复地向自身的入射角反射，因而存在使内部的光减弱的问题。

并且，通常将多个发光二极管芯片组件化，来使用于照明等以外的各种领域，但考虑到诸多作业工序和发光二极管的特性时，这样的过程存在每表面积的发热的问题，即，由于多个发光二极管芯片集中在一处的结构，因而产生较高的发热，由此存在可能造成发光二极管的寿命缩短的问题。

发明内容

技术问题

因此，本发明为了解决如上所述的问题，提供一种在外延（eptaxial）过程中促使在透明材料晶片生长并使两面都在透明材料生长之后，形成层压结构来确保光亮，并在外延（eptaxial）步骤中完成发光二极管组件，不仅能够减少工序过程，还能够实际上确保较高的光亮的透明发光二极管晶片组件及其制造方法。

本发明提供一种在发光二极管芯片器件中使多个外延（epi taxy）在透明玻璃基板生长，并仅使可确保从外延放出的热量从玻璃基板排放的最少的外延生长，然后作为第二次，再次使最少的外延在玻璃基板生长，从而能够在玻璃基板解决放热问题的透明发光二极管晶片组件及其制造方法。

并且，本发明提供一种在层压玻璃基板时，在多个透明基板（外延的两侧n级、p级都在透明玻璃基板内）之间形成空间，来使存在于经一次生长的玻璃基板的最少的外延所发出的热量不对经二次生长的玻璃基板进行热传导，并使多张透明基板所搭载的外延所发出的热量仅影响各自的玻璃基板，从而通过晶片和晶片的垂直层压结构可确保360度的高光亮的透明发光二极管晶片组件及其制造方法。

解决问题的手段

为了达成如上所述的目的，本发明提供一种透明发光二极管晶片组件，其特征在于，包括：下部透明基板，其具有透光性；下部透明电极，其涂敷在下部透明基板，来接受电源；多个外延膜质，以隔开预定间隔的方式层压在下部透明电极；透明非导体，其介于外延膜质的所隔开的空间之间，以阻断在随着外延膜质的形成而形成的n-电极和p-电极之间的极性；上部透明电极，其与p-电极相接触；以及上部透明基板，其层压在上部透明电极。