[发明专利]透明发光二极管晶片组件及其制造方法

权利要求书

1.一种透明发光二极管晶片组件，其特征在于，包括：

下部透明基板（100），其具有透光性；

下部透明电极（200），其涂敷在上述下部透明基板（100），来接受电源；

n-电极（310），其通过蒸镀金属并蚀刻之后在上述下部透明电极（200）以预定的深度收容下端的方式形成；

外延膜质（300），其由多个层构成，该外延膜质（300）被蒸镀在上述n-电极（310）上之后被蚀刻，并且在施加电源时发光；

p-电极（370），其通过在构成上述外延膜质（300）的多个层中在最上端形成的p-欧姆接触层（360）上蒸镀金属并蚀刻的方式形成；

透明非导体（600），其装入在与上述n-电极（310）和上述p-电极（370）分别连接的下部透明电极（200）和上部透明电极（400）之间，以阻断在施加电源时产生的正极性和负极性；

上部透明电极（400），其层压在上述透明非导体（600）和上述p-电极（370）上；以及

上部透明基板（500），其具有透光性，并层压在上述上部透明电极（400）上。

2.根据权利要求1所述的透明发光二极管晶片组件，其特征在于，上述外延膜质（300）包括：

AlGalnN缓冲层（320），其通过被蒸镀在上述下部透明电极（200）之后被蚀刻的方式形成，并且该AlGalnN缓冲层（320）以与上述n-电极（310）的上端相同的高度在上述n-电极（310）的一侧生长；

n-AlGalnN膜质（330），其层压在上述n-电极（310）和上述AlGalnN缓冲层（320）上；

AlGalnN活性层（340），其层压在上述n-AlGalnN膜质（330）上，并且该AlGalnN活性层（340）由多个量子阱构成，在施加电源时发光；

p-AlGalnN覆盖膜质（350），其层压在上述AlGalnN活性层（340）上；以及

p-欧姆接触层（360），其层压在上述p-AlGalnN覆盖膜质（350）上。

3.根据权利要求1所述的透明发光二极管晶片组件，其特征在于，

使上述n-电极（310）和上述p-电极（370）分别生长成n-AllnGaP层（200a）和p-Gap层（200d）；

上述外延膜质（300）中，使层压在生长成上述n-AllnGaP层（200a）的上述n-电极（310）上的n-AlGalnN膜质（330）生长成n-AllnGaP层（200a），使上述AlGalnN膜质（330）上的AlGalnN活性层（340）生长成AllnGaP活性层（200c），并使依次层压在上述AlGalnN活性层（340）上的p-AlGalnN覆盖膜质（350）和p-欧姆接触层（360）生长成p-AllnGaP层（200c）。

4.根据权利要求1所述的透明发光二极管晶片组件的制造方法，其特征在于，

使上述n-电极（310）和上述p-电极（370）分别生长成金属电接触部（100f、100g）；

上述外延膜质（300）包括：

在上述金属电接触部（100f）上生长的一个以上的p-AllnGaP覆盖层（100b），

在上述p-AllnGaP覆盖层（100b）上生长的AllnGaP活性层（100c），

在上述AllnGaP活性层（100c）上生长的n-AllnGaP覆盖层（100d），以及

在上述n-AllnGaP覆盖层（100d）上生长的n-Gap层（100e）。

5.根据权利要求1所述的透明发光二极管晶片组件的制造方法，其特征在于，通过上述上、下部透明电极（400、200）施加电源，来使从上述AlGalnN活性层（340）产生的热量通过上述上、下部透明基板（500、100）排放。