[发明专利]用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备

摘要

一种离子注入系统和方法，其中，通过利用富含同位素的掺杂剂材料，来提高离子注入系统的离子源的性能和寿命，或通过利用具有可有效地提供这种提高的补充气体的掺杂剂材料来实现。

主权项

一种离子注入方法，包括使掺杂剂成分流至离子源，以产生用于注入的离子掺杂物质，其中，从由以下物质组成的组中选择所述掺杂剂成分：（i）富含同位素以高于至少一种质量70、72、73、74或76的锗同位素的天然丰度水平的锗化合物，其中，所述至少一种锗同位素的富含同位素的水平比质量70的锗同位素大21.2%、比质量72的锗同位素大27.3%、比质量73的锗同位素大7.9%、比质量74的锗同位素大37.1%、比质量76的锗同位素大7.4%，限制条件是，当掺杂剂成分由以质量72的锗同位素富含同位素的四氟化锗组成时，所述富含同位素的水平比质量72的锗同位素大51.6%；以及（ii）包括掺杂气体和补充气体的掺杂气体配制品，其中，所述补充气体包括稀释气体和同质气体中的至少一种，并且其中，所述掺杂气体和，当存在时，同质气体，中的至少一种是富含同位素的。