[发明专利]用于提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的方法和设备有效

申请号：	201180011189.9	申请日：	2011-02-26
公开（公告）号：	CN102782811A	公开（公告）日：	2012-11-14
发明（设计）人：	罗伯特·凯姆;约瑟夫·D·斯威尼;安东尼·M·阿维拉;理查德·S·雷	申请（专利权）人：	高级技术材料公司
主分类号：	H01L21/265	分类号：	H01L21/265
代理公司：	北京康信知识产权代理有限责任公司 11240	代理人：	李丙林;张英
地址：	美国康***	国省代码：	美国;US
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摘要：
搜索关键词：	用于提高离子注入系统中的离子源寿命性能方法设备
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【权利要求书】：

1.一种离子注入方法，包括使掺杂剂成分流至离子源，以产生用于注入的离子掺杂物质，其中，从由以下物质组成的组中选择所述掺杂剂成分：

（i）富含同位素以高于至少一种质量70、72、73、74或76的锗同位素的天然丰度水平的锗化合物，其中，所述至少一种锗同位素的富含同位素的水平比质量70的锗同位素大21.2%、比质量72的锗同位素大27.3%、比质量73的锗同位素大7.9%、比质量74的锗同位素大37.1%、比质量76的锗同位素大7.4%，限制条件是，当掺杂剂成分由以质量72的锗同位素富含同位素的四氟化锗组成时，所述富含同位素的水平比质量72的锗同位素大51.6%；以及

（ii）包括掺杂气体和补充气体的掺杂气体配制品，其中，所述补充气体包括稀释气体和同质气体中的至少一种，并且其中，所述掺杂气体和，当存在时，同质气体，中的至少一种是富含同位素的。

2.根据权利要求1所述的方法，从由以下物质组成的组中选择所述掺杂剂成分：富含同位素以高于至少一种质量70、72、73、74或76的锗同位素的天然丰度水平的锗化合物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掺杂剂成分包括富含同位素的比质量70的锗同位素大21.2%的锗化合物。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掺杂剂成分包括富含同位素的比质量72的锗同位素大27.3%的锗化合物。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掺杂剂成分包括富含同位素的比质量72的锗同位素大51.6%的锗化合物。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掺杂剂成分包括富含同位素的比质量73的锗同位素大7.9%的锗化合物。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掺杂剂成分包括富含同位素的比质量74的锗同位素大37.1%的锗化合物。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，所述掺杂剂成分包括富含同位素的比质量76的锗同位素大7.4%的锗化合物。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，所述锗化合物包括四氟化锗和锗烷中的至少一种。

10.根据权利要求2所述的方法，其中，所述锗化合物包括四氟化锗。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述四氟化锗中的锗具有大于21.2%的质量70的锗同位素的富含同位素的水平。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述四氟化锗中的锗具有大于27.3%的质量72的锗同位素的富含同位素的水平。