[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件有效
申请号: | 201180009088.8 | 申请日: | 2011-02-14 |
公开(公告)号: | CN102822992A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 小林光 | 申请(专利权)人: | 小林光;佳能市场营销日本株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L21/306 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人: | 王永文 |
地址: | 日本京都府京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种半导体装置的制造方法,包括将氧化且溶解处理对象基板(20)的处理液(19)供给至处理对象基板(20)的表面上的供给步骤;将具有触媒材的网目状转印用组件(10b)设成接触或接近至此处理对象基板(20)的表面的配置状态的配置步骤;以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成表面呈凹凸面的处理对象基板(20)的凹凸形成步骤。根据此半导体装置的制造方法,并非如目前为止具有任意性高,换言之,再现性低的凹凸的半导体基板,而是在转印用组件的阶段,只要事先形成凹凸形状或网目形状,即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 以及 转印用 组件 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:将氧化且溶解半导体基板的处理液,供给至该半导体基板的表面上的供给步骤;将具有触媒材的网目状转印用组件,设成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态的配置步骤;以及通过该供给步骤及该配置步骤以形成呈凹凸面的该半导体基板的该表面的凹凸形成步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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