[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给步骤；

将具有触媒材的网目状转印用组件，设成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态的配置步骤；以及

通过该供给步骤及该配置步骤以形成呈凹凸面的该半导体基板的该表面的凹凸形成步骤。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给步骤；

在形成有凹凸的表面上或上方，将具有触媒材的转印用组件，设成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态的配置步骤；以及

通过该供给步骤及该配置步骤以形成呈凹凸面的该半导体基板的该表面的凹凸形成步骤。

3.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该触媒材是选自由铂（Pt）、银（Ag）、钯（Pd）、金（Au）、铑（Rh）、钌（Ru）、铱（Ir）及包含至少其中之一的合金所组成之群组中至少一种。

4.如权利要求1所述之半导体装置的制造方法，其特征在，在该配置步骤中，包含与回转轴相垂直的断面形状呈圆形、多角形或扇形的滚筒，将沿该滚筒的表面上所设置的该网目状转印用组件的至少一部分，边维持在接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态，边使该滚筒相对于该半导体基板的该表面进行相对性地移动且回转。

5.如权利要求4所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该滚筒是用以供给该处理液。

6.如权利要求1所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，在该配置步骤中，包含与回转轴相垂直的断面形状呈圆形、多角形、或扇形的由海绵材料所形成的滚筒，将沿该滚筒的表面上所设置的该网目状转印用组件的至少一部分，边维持在抵接至该半导体基板的该表面的状态，边使该滚筒相对于该半导体基板的该表面相对性地移动且回转。

7.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该处理液是选自由过氧化氢水（H₂O₂）、二铬酸钾（Kr₂Cr₂O₇）水溶液、过锰酸钾（KMnO₄）水溶液、硝酸（H₂SO₄）、硫酸（HNO₃）、以及使氧气（O₂）或臭氧（O₃）溶解至水中的溶液所组成之群组中的至少一种氧化剂与氢氟酸（HF）的混合水溶液。

8.如权利要求2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该转印用组件为硅基板，且在该转印用组件的表面上所形成的层间膜上，具有该触媒材。

9.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该触媒材是通过溅镀法、镀覆法、或化学气相沉积法所形成的膜，或是由化合物的涂布膜经还原生成而形成的膜。

10.如权利要求1或2所述之半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置为太阳能电池、光学装置、具有微机电系统构造的装置或具有大规模集成电路（LSI）的装置。

11.一种半导体装置的制造装置，其特征在于，包含：

将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给装置；以及

将具有触媒材的网目状转印用组件，配置成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置装置。

12.一种半导体装置的制造装置，其特征在于，包括：

将氧化且溶解半导体基板的处理液，供给至该半导体基板的表面上的供给装置；以及

在形成有凹凸的表面上或上方，将具有触媒材的转印用组件，配置成接触或接近至该半导体基板的该表面的配置装置。

13.如权利要求11所述之半导体装置的制造装置，其特征在于，该配置装置具有滚筒，且与该滚筒的回转轴相垂直的断面形状呈圆形、多角形、或扇形的该滚筒，沿着该滚筒的表面上所设置的该网目状转印用组件的至少一部分是与该半导体基板的该表面相对向的同时，边维持在使该触媒材接触或接近至该半导体基板的该表面的配置状态，边使该滚筒相对于该半导体基板的该表面进行相对性地移动且回转。