[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体装置的制造方法、半导体装置的制造装置、半导体装置、以及转印用组件。

背景技术

从前，在结晶系太阳能电池中，是通过使在硅基板中的平面状表面变形成凹凸状，亦即利用所谓的「光阱效果」以谋求能量转换效率的提高。此是因为与基板表面为平面的情况相比，在凹凸的斜面上将一度反射的光也受光至邻接的凹凸的斜面上而吸收，藉此，能够实质上使来自表面的反射率降低。其结果，由于入射光的总量增大，所以得以实现转换效率的增加。

就上述形成凹凸构造的方法而言，例如，提出了在含有触媒的金属离子的氧化剂与氢氟酸的混合水溶液内，浸渍硅基板的方法（专利文献1）。据此，公开了在此基板表面得以形成多孔质硅层的技术。

＜先前技术文献＞

　＜专利文献1＞特开2005－183505号公报。

发明内容

技术问题

然而，上述凹凸构造的形成方法关于凹凸形状的形成的控制性仍不可谓十分足够。具体而言，以上述方法来说，首先，可认为由于硅基板表面上的金属自硅基板表面析出，藉而此金属得以当作分解触媒发挥其机能。如此一来，因为无法自在地控制此金属的析出位置或分布，故确保所形成的凹凸的大小或分布的一致性将极为困难，且此些特性的再现性亦不足。再者，在制作表面凹凸构造后，将金属除去之程序是困难的。

再加上，针对用以形成像这样一致的凹凸的具体手段来说，以其工业性乃至量产性作为考虑而进行的研究及开发，将可因应产业界的需求。

技术方案

本发明是通过解决上述至少一个技术课题，而在半导体基板上，实现了工业性乃至量产性优异，均一性及再现性良好的凹凸形状的表面。其结果，本发明为对以太阳能电池作为代表的各种半导体装置稳定的高性能化与其工业化的实现具有显着贡献者。

本发明之一的半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给步骤；将具有触媒材的网目状转印用组件设成接触或接近至此半导体基板表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成呈凹凸面的前述半导体基板表面的凹凸形成步骤。

根据此半导体装置的制造方法，由于依照转印用组件所具有的网目形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的网目形状当作模型或模具而可获得具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。

本发明之另一半导体装置的制造方法，包括将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给步骤；将位在形成凹凸的表面上或其上方具有触媒材的转印用组件，设成接触或接近至此半导体基板表面的配置状态的配置步骤；以及通过前述供给步骤及前述配置步骤以形成呈凹凸面的前述半导体基板表面的凹凸形成步骤。

根据此半导体装置的制造方法，由于依照转印用组件所具有的凹凸形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的凹凸形状当作模型或模具而可获得具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的凹凸形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。

此外，本发明之一的半导体装置的制造装置，包含将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给装置；以及将具有触媒材的网目状转印用组件配置成接触或接近至此半导体基板表面的配置装置。

根据此半导体装置的制造装置，由于依照转印用组件所具有的网目形状而得以形成作为处理对象的半导体基板的凹凸，所以使转印用组件的网目形状当作模型或模具而可以制造具有其反映而成之凹凸的半导体基板的半导体装置。亦即，并非如目前为止具有任意性高，换言之，再现性低的凹凸的半导体基板，而是在转印用组件的阶段，只要事先形成适宜的网目形状，即可稳定地制造出具有一定水平的凹凸形状的半导体基板的半导体装置。

此外，本发明之另一半导体装置的制造装置，包含将氧化且溶解半导体基板的处理液供给至此半导体基板表面上的供给装置；以及将位在形成凹凸的表面上或其上方具有触媒材的转印用组件，配置成接触或接近至此半导体基板表面的配置装置。