[实用新型]等离子体处理装置及其汇聚装置、静电夹盘有效
| 申请号： | 201120569756.X | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN202585324U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陶铮;松尾裕史;曹雪操 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了等离子体处理装置及其汇聚装置、静电夹盘，所述汇聚装置至少包括：盘状第一部分，其具有能够与所述静电夹盘的表面相结合的第一表面，并具有与所述基片的下表面相结合的第二表面；围状第二部分，其与所述第一部分垂直设置，并连接于所述第一部分的外围，其中，所述第一部分的面积大于所述基片的面积，所述第二部分的高度大于所述基片的厚度。本实用新型还提供了一种静电夹盘，将上述汇聚装置集成于其中。本实用新型能够有效地改善制程均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 及其 汇聚 静电 | ||
【主权项】：
一种应用于等离子体处理装置的等离子体汇聚装置，其特征在于，所述汇聚装置设置于静电夹盘的上表面，所述汇聚装置上方还承载有基片，其中，所述汇聚装置至少包括：盘状第一部分，其具有能够与所述静电夹盘的表面相结合的第一表面，并具有与所述基片的下表面相结合的第二表面；围状第二部分，其与所述第一部分垂直设置，并连接于所述第一部分的外围，其中，所述第一部分的面积大于所述基片的面积，所述第二部分的高度大于所述基片的厚度。
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