[实用新型]等离子体处理装置及其汇聚装置、静电夹盘

权利要求书

1.一种应用于等离子体处理装置的等离子体汇聚装置，其特征在于，所述汇聚装置设置于静电夹盘的上表面，所述汇聚装置上方还承载有基片，其中，所述汇聚装置至少包括：

盘状第一部分，其具有能够与所述静电夹盘的表面相结合的第一表面，并具有与所述基片的下表面相结合的第二表面；

围状第二部分，其与所述第一部分垂直设置，并连接于所述第一部分的外围，

其中，所述第一部分的面积大于所述基片的面积，所述第二部分的高度大于所述基片的厚度。

2.根据权利要求1所述的汇聚装置，其特征在于，所述汇聚装置采用金属铝或氧化铝或氧化钇陶瓷材料制成。

3.根据权利要求1所述的汇聚装置，其特征在于，所述第一部分的厚度为1mm～5mm，所述第二部分的高度为1cm～3cm。

4.根据权利要求1所述的汇聚装置，其特征在于，在所述第一部分上设置有若干个能够通过升举顶针的通道，所述升举顶针通过所述通道对基片进行升举。

5.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括权利要求1至4任一项所述的汇聚装置。

6.一种应用于等离子体处理装置的静电夹盘，其特征在于，所述静电吸盘包括：

第一电介质层；

第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极，

其中，所述第二电介质层至少包括：

盘状第三部分，其具有能够与静电夹盘基盘的表面相结合的第一表面，并具有与所述基片的下表面相结合的第二表面；

围状第四部分，其与所述第三部分垂直设置，并连接于所述第三部分的外围，

其中，所述第三部分的面积大于所述基片的面积，所述第四部分的高度大于所述基片的厚度。

7.根据权利要求6所述的静电夹盘，其特征在于，所述第二电介质层采用铝或陶瓷制成。

8.根据权利要求6所述的静电夹盘，其特征在于，所述第三部分的厚度为1mm～5mm，所述第四部分的高度为1cm～3cm。

9.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置包括权利要求6至8任一项所述的静电夹盘。