[实用新型]等离子体处理装置及其汇聚装置、静电夹盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种等离子体处理装置及其汇聚装置、静电夹盘 

背景技术

半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受边缘条件的影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。这一不均匀现象在射频电场频率越高时越明显，在射频频率大于60MHZ甚至大于100Mhz时这一等离子浓度的不均匀性程度已经很难再用其它装置如位于静电夹盘边缘的聚集环来调控。 

由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。 

因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。 

实用新型内容

针对背景技术中的上述问题，本实用新型提出了能够改善均一性的用于等离子体处理装置的汇聚装置及静电夹盘。汇聚装置设置于静电夹盘的上表面，所述汇聚装置上方还承载有基片，其中，所述汇聚装置至少包括：盘状第一部分，其具有能够与所述静电夹盘的表面相结合的第一表面，并具有与所述基片的下表面相结合的第二表面；围状第二部分，其与所述第一部分垂直设置，并连接于所述第一部分的外围，其中，所述第一部分的面积大于所述基片的面积，所述第二部分的高度大于所述基片的厚度。汇聚装置采用金 属铝或氧化铝陶瓷材料制成。 

第一部分的厚度为1mm～5mm，所述第二部分的高度为1cm～3cm。第一部分上设置有若干个能够通过升举顶针的通道，所述升举顶针通过所述通道对基片进行升举。 

一种应用于等离子体处理装置的静电夹盘，其特征在于，所述静电吸盘包括：第一电介质层；第二电介质层，其位于所述第一电介质层上方，并埋设有用于产生静电吸力的电极，其中，所述第二电介质层至少包括：盘状第三部分，其具有能够与静电夹盘基盘的表面相结合的第一表面，并具有与所述基片的下表面相结合的第二表面；围状第四部分，其与所述第三部分垂直设置，并连接于所述第三部分的外围，其中，所述第三部分的面积大于所述基片的面积，所述第四部分的高度大于所述基片的厚度。其中所述第二电介质层采用铝或陶瓷制成，陶瓷可以是氧化铝，氧化钇等材料。所述第三部分的厚度可以为1mm～5mm，所述第四部分的高度可以为1cm～3cm。 

本实用新型提供的汇聚装置及静电夹盘的等离子体处理装置能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。 

附图说明

图1是现有技术的等离子体处理装置的结构示意图； 

图2是本实用新型的具体实施例的等离子体处理装置的等离子体汇聚装置的结构示意图； 

图3是本实用新型的具体实施例的等离子体处理装置的等离子体汇聚装置的俯视图； 

图4是本实用新型的具体实施例的等离子体处理装置的静电夹盘的结构示意图； 

图5是本实用新型的具体实施例的等离子体处理装置的静电夹盘的俯视图； 

图6是本实用新型实用新型效果示意图。 

具体实施方式

以下结合附图，对本实用新型的具体实施方式进行说明。