[实用新型]肖特基二极管的终止区沟槽结构有效
| 申请号： | 201120557526.1 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN202434522U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李永忠;潘宗铭 | 申请（专利权）人： | 台湾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 郑永康 |
| 地址： | 中国台湾台北市信*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管的终止区沟槽结构，包括：一半导体基层作为阴极端；一磊晶层为结于半导体基层的上，形成一晶胞区与一终止区，晶胞区蚀刻形成数个第一沟槽，终止区蚀刻形成一个以上的第二沟槽；数个绝缘层分别结合于磊晶层的第一与第二沟槽内面；数个多晶硅层结合于磊晶层的第一与第二沟槽各绝缘层内面；一导体层结合于磊晶层及第一、第二构槽上端，使导体层分别与磊晶层、第一沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端、第二沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端连结。本实用新型借由终止区的第二沟槽间所形成的函数曲线形状排列组合，使终止区的第二沟槽除可达成使肖特基二极管整体具有降低其逆向漏电流与具有较高的逆向偏压值的特性外，简化光罩制程。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 终止 沟槽 结构 | ||
【主权项】：
肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，包括：一半导体基层，作为阴极端；一磊晶层，为结于半导体基层的上，形成一晶胞区与一终止区，该晶胞区蚀刻形成数个第一沟槽，该终止区蚀刻形成一个以上的第二沟槽，该第二沟槽呈函数曲线形状排列组合关系；数个绝缘层，分别结合于磊晶层的第一沟槽内面与第二沟槽内面；数个多晶硅层，结合于磊晶层的第一沟槽与第二沟槽各绝缘层内面；一导体层，结合于磊晶层及第一沟槽、第二构槽上端，使该导体层分别与磊晶层、第一沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端、第二沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端连结，以使该导体层形成阳极端。
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