[实用新型]肖特基二极管的终止区沟槽结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种肖特基二极管的终止区沟槽结构，尤指一种于终止区形成一个以上且相互呈函数曲线形状排列的沟槽，而具低逆向漏电流与高逆向偏压值的肖特基二极管。

背景技术

现有的肖特基二极管为一种导通电压降较低、允许高速切换的二极管，是利用肖特基势垒(Schottky Barrier)特性而产生的电子组件，肖特基二极管是利用金属-半导体接面作为肖特基势垒，以产生整流的效果，肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，而且可以提高切换的速度，并广泛被使用于如交换式电源供应器、通讯设备等需高速开关切换的场合中，但肖特基二极管最大的缺点是其反向偏压较低，像使用硅及金属为材料的肖特基二极管，其反向偏压额定耐压较低，且反向漏电流不但较大，而且会随着温度升高而增加到提高，可能会造成温升失控的问题，致使肖特基二极管于实际使用时的反向偏压必需限制比其额定值小很多，而让肖特基二极管的应用受到限制。

或有萌生改良者，在肖特基二极管结构中加入沟槽结构，以期改善上述的反向偏压值低、反向漏电流高的问题，诸如中国专利第ZL02810570.2号「双掩模沟槽肖特基整流器及其制造方法」发明专利案，则揭示典型现有的沟槽式肖特基二极管结构，在于该源半导体区及终止半导体区内均设有沟槽，但该位于终止半导体区的沟槽顶部需与诸如二氧化硅(SiO₂)的LOCOS区连结，使该半导体终止区的沟槽制程方面需多道光罩，致使让生产成本偏高，而不符产业利用的经济效益。

上述现有肖特基二极管的沟槽结构，由于半导体终止区的沟槽结构复杂，需要诸如多道光罩的繁复制程，制造成本高，而不符产业利用的经济效益。

有鉴于此，极需发展一种肖特基二极管，在于终区部分的沟槽形成，除可具有逆向偏压时的逆向漏电流降低与有较高的逆向偏压电压值的特性外，并需简化其制程，使其制造成本降低，以提升产业的利用价值。

实用新型内容

本实用新型所要解决的主要技术问题在于，克服现有技术存在的上述缺陷，而提供一种肖特基二极管的终止区沟槽结构，本实用新型借由终止区的第二沟槽间所形成的函数曲线形状排列组合，使终止区的第二沟槽除可达成使肖特基二极管整体具有降低其逆向漏电流与具有较高的逆向偏压值的特性外，并可简化光罩制程，即可形成第二沟槽结构，可大幅降低其生产成本，并进而提升其产业利用价值。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，包括：一半导体基层，作为阴极端；一磊晶层，为结于半导体基层的上，形成一晶胞区与一终止区，该晶胞区蚀刻形成数个第一沟槽，该终止区蚀刻形成一个以上的第二沟槽，该第二沟槽呈函数曲线形状排列组合关系；数个绝缘层，分别结合于磊晶层的第一沟槽内面与第二沟槽内面；数个多晶硅层，结合于磊晶层的第一沟槽与第二沟槽各绝缘层内面；一导体层，结合于磊晶层及第一沟槽、第二构槽上端，使该导体层分别与磊晶层、第一沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端、第二沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端连结，以使该导体层形成阳极端。

前述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其中半导体基层为N+基材。

前述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其中磊晶层为低浓度掺杂N-磊晶。

前述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其中磊晶层的终止区的第二沟槽呈阶梯状的函数曲线形状。

前述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其中磊晶层的终止区的各第二沟槽间呈深度递减的函数曲线形状排列组合。

前述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其中绝缘层为二氧化硅。

本实用新型是在提供一种肖特基二极管的终止区沟槽结构，包含一半导体基层、一磊晶层、数个绝缘层、多晶硅层及一导体层，其中，该半导体基层为阴极端，磊晶层结合于半导体基层的上，该磊晶层上形成一晶胞区与一终止区，该晶胞区蚀刻形成数个第一沟槽，该终止区形成一个以上的第二沟槽，各第二沟槽间呈函数曲线形状排列组合关系，该绝缘层结合于第一沟槽及第二沟槽内面，该多晶硅层结合于绝缘层内面，该导体层结合于磊晶层及第一沟槽及第二沟槽上端，以使该导体层形成阳极端，以借由各第二沟槽间所形成的函数曲线形状排列组合结构，使该肖特基二极管的阳极端与阴极端间，可降低其逆向漏电流与具有较高的逆向偏压值。