[实用新型]肖特基二极管的终止区沟槽结构有效
| 申请号： | 201120557526.1 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN202434522U | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 李永忠;潘宗铭 | 申请（专利权）人： | 台湾半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 郑永康 |
| 地址： | 中国台湾台北市信*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 终止 沟槽 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，包括：
一半导体基层，作为阴极端；
一磊晶层，为结于半导体基层的上，形成一晶胞区与一终止区，该晶胞区蚀刻形成数个第一沟槽，该终止区蚀刻形成一个以上的第二沟槽，该第二沟槽呈函数曲线形状排列组合关系；
数个绝缘层，分别结合于磊晶层的第一沟槽内面与第二沟槽内面；
数个多晶硅层，结合于磊晶层的第一沟槽与第二沟槽各绝缘层内面；
一导体层，结合于磊晶层及第一沟槽、第二构槽上端，使该导体层分别与磊晶层、第一沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端、第二沟槽中的绝缘层与多晶硅层顶端连结，以使该导体层形成阳极端。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，所述半导体基层为N+基材。
3.根据权利要求1所述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，所述磊晶层为低浓度掺杂N-磊晶。
4.根据权利要求1所述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，所述磊晶层的终止区的第二沟槽呈阶梯状的函数曲线形状。
5.根据权利要求1所述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，所述磊晶层的终止区的各第二沟槽间呈深度递减的函数曲线形状排列组合。
6.根据权利要求1所述的肖特基二极管的终止区沟槽结构，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅。
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