[实用新型]一种背面点接触晶硅太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种背面点接触晶硅太阳电池，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区；所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极和前表面氮化硅层；所述硅衬底的背表面由内至外依次设有钝化层、银点和背铝层，其中银点贯穿钝化层连接硅衬底和背铝层；所述银点为在所述钝化层表面通过印刷银浆而形成的点。采用本实用新型，所述背面点接触晶硅太阳电池，所述银点通过高温快速烧结腐蚀其背面钝化层，并通过该处与硅片形成良好的欧姆接触点。其形成的点接触-结构降低了背表面电子、空穴对的复合速率，提高了少子寿命、光电转换效率，且工艺简单、设备投资少、生产效率高、适用于工业化大规模的生产。

主权项

一种背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区；所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极和前表面氮化硅层；所述硅衬底的背表面由内至外依次设有钝化层和银点；所述银点为在所述钝化层表面通过印刷银浆而形成的点。