[实用新型]一种背面点接触晶硅太阳电池有效
| 申请号： | 201120554486.5 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN202585429U | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 胡海平;班群;康凯;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文 |
| 地址： | 528100 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 背面 点接触 太阳电池 | ||
1.一种背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区；
所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极和前表面氮化硅层；
所述硅衬底的背表面由内至外依次设有钝化层和银点；
所述银点为在所述钝化层表面通过印刷银浆而形成的点。
2.如权利要求1所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述银点为在所述钝化层表面通过丝网印刷银浆而形成的点。
3.如权利要求2所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述银点的间距为300~2500um。
4.如权利要求3所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述银点为圆点；
所述银点的直径为40~80um，高度为8~40um。
5.如权利要求1所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述钝化层为氮化硅钝化膜或氮化硅和二氧化硅双层钝化膜。
6.如权利要求5所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述氮化硅钝化膜的折射率为2.0~2.5，厚度为40~120nm；
所述氮化硅和二氧化硅双层钝化膜中，所述氮化硅钝化膜的厚度为40~120nm，所述二氧化硅钝化膜的厚度为70~150nm。
7.如权利要求1所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述发射极为N型发射极。
8.如权利要求1所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述硅衬底的背表面设有铝层。
9.如权利要求1所述的背面点接触晶硅太阳电池，其特征在于，所述硅衬底的前表面设有正银层；
所述正银层上设有正银极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
