[实用新型]一种背面点接触晶硅太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及太阳电池技术领域，特别涉及一种背面点接触晶硅太阳电池。

背景技术

太阳电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，在这个光电转换过程中，损耗主要为：光损耗和电损耗。光损耗主要来自前表面的反射损失和后表面较弱的反射，电损耗主要来自光子激发的电子、空穴对复合，前表面、发射极和后表面是主要的电子、空穴对复合区域。目前，晶硅太阳电池一般采用高方阻的发射极或者选择性发射极结构，且太阳电池的前表面设有钝化效果良好的氮化硅层，这些技术的应用降低了前表面电子、空穴复合速率，降低了该区的电损耗。而背表面设有铝背场，铝背场的钝化是通过在硅片背面形成高低结（即PP⁺结构）。高低结的电场强度与形成的铝硅合金厚度相关，一般，越厚的铝硅合金层，则电场强度越强，其反弹电子的能力越强，钝化效果则越好。然而，目前的硅片较薄，一般为180um，厚的铝层将在背面产生较大的应力导致电池片较大的弯曲，将增加模组封装难度和碎片率。此外，铝在硅的固溶度较低，这导致难以形成强电场，大量的电子、空穴对在铝硅接触处及背面复合，降低了太阳电池的光电转换效率。

因此，在常规的铝背场晶硅太阳电池中，由于铝背场的钝化效果较差，较大背表面复合速率，这是制约常规晶硅太阳电池光电转换的一个重要因素。

发明内容

本实用新型实施例所要解决的技术问题在于，提供一种背面点接触晶硅太阳电池，其形成的点接触-结构降低了背表面电子、空穴对的复合速率，提高了少子寿命，提高了光电转换效率，且工艺简单、设备投资少、生产效率高、适用于工业化大规模生产。

为达到上述技术效果，本实用新型实施例提供了一种背面点接触晶硅太阳电池，所述太阳电池采用P型硅片为硅衬底作为所述太阳电池的基区；

所述硅衬底的前表面由内至外依次设有发射极和前表面氮化硅层；

所述硅衬底的背表面由内至外依次设有钝化层和银点；

所述银点为在所述钝化层表面通过印刷银浆而形成的点。

作为上述方案的改进，所述银点为在所述钝化层表面通过丝网印刷银浆而形成的点。

作为上述方案的改进，所述银点的间距为300~2500um。

作为上述方案的改进，所述银点为圆点；

所述银点的直径为40~80um，高度为8~40um。

作为上述方案的改进，所述钝化层为氮化硅钝化膜或氮化硅和二氧化硅双层钝化膜。  

作为上述方案的改进，所述氮化硅钝化膜的折射率为2.0~2.5，厚度为40~120nm；

所述氮化硅和二氧化硅双层钝化膜中，所述氮化硅钝化膜的厚度为40~120nm，所述二氧化硅钝化膜的厚度为70~150nm。

作为上述方案的改进，所述发射极为N型发射极。

作为上述方案的改进，所述硅衬底的背表面设有铝层。

作为上述方案的改进，所述硅衬底的前表面设有正银层；所述正银层上设有正银极。

实施本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型一种背面点接触晶硅太阳电池，在P型硅片表面设有电介质氮化硅薄膜，或者二氧化硅和氮化硅双层膜，形成钝化层。并在钝化层表面通过印刷具有腐蚀性的银浆，优选地，在钝化层表面通过丝网印刷具有腐蚀性的银浆，且在烘干背面再印刷铝浆。再通过高温快烧，银浆腐蚀、烧蚀钝化层，并贯穿钝化层，最后在硅衬底表面形成银接触点，连接硅衬底与铝背层，从而实现背面点接触结构。具有背面点接触结构的太阳电池，钝化能力强，有效减少背面电子、空穴对的复合，从而减少电损耗，进而提高光电转换效率。

除此之外，本实用新型一种背面点接触晶硅太阳电池的制备工艺简单、设备投资少、生产效率高、适用于工业化大规模的生产。

附图说明

图1为本实用新型一种背面点接触晶硅太阳电池的结构示意图；

图2为本实用新型一种背面点接触晶硅太阳电池的又一结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。

如图1所示，本实用新型实施例提供了一种背面点接触晶硅太阳电池1，所述太阳电池1采用P型硅片为硅衬底11作为所述太阳电池的基区；

所述硅衬底11的前表面由内至外依次设有发射极12和前表面氮化硅层13；

所述硅衬底11的背表面由内至外依次设有钝化层14和银点15；

所述银点15为在所述钝化层14表面通过印刷银浆而形成的点。