[实用新型]BCD工艺中的双向高压MOS管有效
| 申请号： | 201120526507.2 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN202363464U | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;岳志恒;陈洪雷 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种BCD工艺中的双向高压MOS管，包括：半导体衬底；形成于半导体衬底中具有第一掺杂类型的埋层；形成于埋层上的外延层；形成于外延层中具有第一掺杂类型的第一阱区；分别形成于第一阱区两侧的外延层中具有第二掺杂类型的第二阱区和第三阱区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；形成于第二阱区和第三阱区中的场氧化层；分别形成于第二阱区和第三阱区中的具有第二掺杂类型的源区和漏区；位于源区和漏区之间的场氧化层和栅介质层上的栅电极。本实用新型的双向高压MOS管中源区和漏区是对称的，可以互换使用；所述MOS管可以应用于BCD工艺中，将耐压提高到60V以上。 | ||
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【主权项】：
一种BCD工艺中的双向高压MOS管结构，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底中的埋层，所述埋层具有第一掺杂类型；形成于所述埋层上的外延层；形成于所述外延层中的第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；分别形成于所述第一阱区两侧的外延层中的第二阱区和第三阱区，所述第二阱区和第三阱区具有第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；形成于所述第二阱区和第三阱区中的场氧化层；分别形成于所述第二阱区和第三阱区中的具有第二掺杂类型的源区和漏区，所述源区位于所述第二阱区中场氧化层远离第一阱区的一侧，所述漏区位于所述第三阱区中场氧化层远离第一阱区的一侧；覆盖于所述外延层表面的栅介质层；位于所述源区和漏区之间的场氧化层和栅介质层上的栅电极。
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