[实用新型]BCD工艺中的双向高压MOS管有效
| 申请号： | 201120526507.2 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN202363464U | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;岳志恒;陈洪雷 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 中的 双向 高压 mos | ||
1.一种BCD工艺中的双向高压MOS管结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底中的埋层，所述埋层具有第一掺杂类型；
形成于所述埋层上的外延层；
形成于所述外延层中的第一阱区，所述第一阱区具有第一掺杂类型；
分别形成于所述第一阱区两侧的外延层中的第二阱区和第三阱区，所述第二阱区和第三阱区具有第二掺杂类型，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；
形成于所述第二阱区和第三阱区中的场氧化层；
分别形成于所述第二阱区和第三阱区中的具有第二掺杂类型的源区和漏区，所述源区位于所述第二阱区中场氧化层远离第一阱区的一侧，所述漏区位于所述第三阱区中场氧化层远离第一阱区的一侧；
覆盖于所述外延层表面的栅介质层；
位于所述源区和漏区之间的场氧化层和栅介质层上的栅电极。
2.根据权利要求1所述的双向高压MOS管结构，其特征在于，所述栅电极下方的场氧化层与所述第二阱区或第三阱区的距离为1-3μm。
3.根据权利要求1所述的双向高压MOS管结构，其特征在于，所述第一掺杂类型的导电类型为P型，所述第二掺杂类型的导电类型为N型，或者所述第一掺杂类型的导电类型为N型，所述第二掺杂类型的导电类型为P型。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的双向高压MOS管结构，其特征在于，还包括：
覆盖所述源区、漏区、栅电极和外延层的介质层；
位于所述源区、漏区和栅电极上方的介质层中的引线孔，所述引线孔中填充有电极引线。
5.根据权利要求1所述的双向高压MOS管结构，其特征在于，所述双向高压管的耐压值在60V以上。
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