[实用新型]一种提高MOCVD机台中4寸外延片波长均匀性的石墨盘有效

专利信息
申请号: 201120462443.4 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN202543389U 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 潘尧波;彭昀鹏 申请(专利权)人: 上海蓝光科技有限公司
主分类号: C30B25/12 分类号: C30B25/12
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型涉及一种提高MOCVD机台中4寸外延片波长均匀性的石墨盘,该石墨盘包括底座(202)以及卡持该外延片(201)的圆台(203);所述底座(202)包括弧形下凹的圆形底面(2021)以及自该圆形地面边缘弯折延伸的侧壁(2022);所述圆台(203)自该侧壁(2022)的顶端向外弯折延伸而成。本实用新型可以有效改善外延片生长量子阱时中心与边缘的温场分布,从而改善4寸外延片的波长均匀性以及外观。
搜索关键词: 一种 提高 mocvd 机台 外延 波长 均匀 石墨
【主权项】:
一种提高MOCVD机台中4寸外延片波长均匀性的石墨盘,其特征在于:该石墨盘包括底座(202)以及卡持该外延片(201)的圆台(203);所述底座(202)包括弧形下凹的圆形底面(2021)以及自该圆形底面边缘弯折延伸的侧壁(2022);所述圆台(203)自该侧壁(2022)的顶端向外弯折延伸而成。
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