[实用新型]等离子辅助化学气相沉积设备有效
申请号: | 201120201024.5 | 申请日: | 2011-06-15 |
公开(公告)号: | CN202279857U | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 杨利坚;高松年;卢伟贤;庄一鸣;易敏龙 | 申请(专利权)人: | 香港生产力促进局 |
主分类号: | C23C16/509 | 分类号: | C23C16/509 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 程殿军 |
地址: | 中国香港九龙达之路*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种等离子辅助化学气相沉积设备,其包括有化学气相沉积真空室,该化学气相沉积真空室通过法兰连接有真空系统,所述化学气相沉积真空室的两侧室壁各设有相对的能产生等离子体、且能通过调控磁铁分布调控磁场以改变等离子体强度与分布的可调式磁控等离子源平板电极,该等离子源平板电极连接有中频电源,所述化学气相沉积真空室顶部设有二维工件转台。使用本实用新型等离子辅助化学气相沉积设备进行的表面改性工艺不涉及任何废水的产生及排放,符合环保的生产原则。表面改性工艺可赋予样品表面附加功能,如防指纹、防雾、防静电等,提高产品的附加价值。 | ||
搜索关键词: | 等离子 辅助 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种等离子辅助化学气相沉积设备,其特征在于,其包括有化学气相沉积真空室,该化学气相沉积真空室通过法兰连接有真空系统,所述化学气相沉积真空室的两侧室壁各设有相对的能产生等离子体、且能通过调控磁铁分布调控磁场以改变等离子体强度与分布的可调式磁控等离子源平板电极,该等离子源平板电极连接有中频电源,所述化学气相沉积真空室顶部设有二维工件转台。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的