[实用新型]一种发光二极管无效
| 申请号： | 201120195143.4 | 申请日： | 2011-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN202058784U | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸奇 | 申请（专利权）人： | 陈逸奇 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种发光二极管，包括具有腔体的基体和设置在所属腔体底部的芯片，芯片边沿设有一圈玻璃质保护层，芯片的水平投影为无折角的封闭形状，芯片的纵向截面呈凸字形，侧边上部为凹弧形，下部为直边，侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜，玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95%，腔体内壁覆盖反射层，基体为硅基体，基体的外形轮廓为长方形。本实用新型采用具有长方形轮廓形状的硅基体作为发光二极管载体，散热性能好，能够应用于各种大屏幕背光屏；本实用新型采用的二极管芯片，其水平投影形状能有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放电，同时有效的提高二极管的耐压能力，避免造成的二极管失效或者电路故障。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，其特征在于：它包括具有腔体的基体和设置在所属腔体底部的芯片，所述芯片边沿设有一圈玻璃质保护层，芯片的水平投影为无折角的封闭形状，芯片的纵向截面呈凸字形，侧边上部为凹弧形，下部为直边，所述侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜，所述玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70‑95%，所述腔体内壁覆盖反射层，所述基体为硅基体，所述基体的外形轮廓为长方形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈逸奇，未经陈逸奇许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120195143.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
