[实用新型]一种发光二极管无效
申请号: | 201120195143.4 | 申请日: | 2011-06-11 |
公开(公告)号: | CN202058784U | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 陈逸奇 | 申请(专利权)人: | 陈逸奇 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/58 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光二极管 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种发光二极管。
背景技术
常用的LED的外形轮廓通常为正方形,因此不易使用在大屏幕背光屏,而其芯片一般也都是采用正方形芯片,例如常用的1W的大功率LED都采用面积为1mm2的正方形芯片,LED通电发光时颜色不均匀,中心亮度较高,四周亮度较低,发光时会产生“眩光”,因此不适合于大尺寸背光屏产品。
发明内容
为了克服上述的缺陷,本实用新型的目的是提供一种在发光时不会产生眩光问题,适合于大尺寸背光屏产品的发光二极管。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案为:
一种发光二极管,它包括具有腔体的基体和设置在所属腔体底部的芯片,所述芯片边沿设有一圈玻璃质保护层,芯片的水平投影为无折角的封闭形状,芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边,所述侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜,所述玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95%,所述腔体内壁覆盖反射层,所述基体为硅基体,所述基体的外形轮廓为长方形。
所述无折角的封闭形状为圆形、椭圆形、角部位弧形的四边形、角部为弧形的五边形。
所述腔体和所述芯片的外形轮廓也为长方形。
它还包括覆盖在腔体上方的硅透镜,所述硅透镜与腔体相配合的截面为长方形。
所述基体的高度为0.4mm-0.8mm,所述基体的外形与腔体底部的长宽比例范围均为1.5:1-2.5:1。
所述反射层为镀银发射层或镀铝发射层。
上述技术方案的有益之处在于:
本实用新型采用具有长方形轮廓形状的硅基体作为发光二极管载体,散热性能好,能够应用于各种大屏幕背光屏;本新型采用的二极管芯片,其水平投影形状能有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放电,同时有效的提高二极管的耐压能力,避免造成的二极管失效或者电路故障。
本实用新型采用长方形芯片,发光均匀,不会产生眩光问题。
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。
附图说明
图1为本新型的示意图。
图2为本新型芯片示意图。
具体实施方式
实施例
如图1、2所示的一种发光二极管,它包括具有腔体的基体1和设置在所属腔体底部的芯片2,所述芯片2边沿设有一圈玻璃质保护层3,芯片的水平投影为无折角的封闭形状,芯片的纵向截面呈凸字形,侧边上部为凹弧形,下部为直边,所述侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜4,所述玻璃质保护层3覆盖半绝缘多晶硅膜4上部的70-95%,所述腔体内壁覆盖反射层5,所述基体1为硅基体,所述基体1的外形轮廓为长方形。所述无折角的封闭形状为圆形、椭圆形、角部位弧形的四边形、角部为弧形的五边形。所述腔体和所述芯片2的外形轮廓也为长方形。它还包括覆盖在腔体上方的硅透镜6,所述硅透镜6与腔体相配合的截面为长方形。所述基体1的高度为0.4mm-0.8mm,所述基体1的外形与腔体底部的长宽比例范围均为1.5:1-2.5:1。所述反射层5为镀银发射层或镀铝发射层。
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