[实用新型]一种发光二极管无效
| 申请号： | 201120195143.4 | 申请日： | 2011-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN202058784U | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸奇 | 申请（专利权）人： | 陈逸奇 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光二极管，其特征在于：它包括具有腔体的基体和设置在所属腔体底部的芯片，所述芯片边沿设有一圈玻璃质保护层，芯片的水平投影为无折角的封闭形状，芯片的纵向截面呈凸字形，侧边上部为凹弧形，下部为直边，所述侧边的凹弧形段上设有一圈半绝缘多晶硅膜，所述玻璃质保护层覆盖半绝缘多晶硅膜上部的70-95%，所述腔体内壁覆盖反射层，所述基体为硅基体，所述基体的外形轮廓为长方形。
2.如权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述无折角的封闭形状为圆形、椭圆形、角部位弧形的四边形、角部为弧形的五边形。
3.如权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述腔体和所述芯片的外形轮廓也为长方形。
4.如权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：它还包括覆盖在腔体上方的硅透镜，所述硅透镜与腔体相配合的截面为长方形。
5.如权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述基体的高度为0.4mm-0.8mm，所述基体的外形与腔体底部的长宽比例范围均为1.5:1-2.5:1。
6.如权利要求1所述的一种发光二极管，其特征在于：所述反射层为镀银发射层或镀铝发射层。
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