[实用新型]整流管芯片有效
| 申请号： | 201120151378.3 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN202120921U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高占成;徐爱民;顾标琴 | 申请（专利权）人： | 润奥电子（扬州）制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/86 | 分类号： | H01L29/86;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225006 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 整流管芯片，包括依次层叠的钼片层（5）、电阻率为10-15Ωcm的外延片高阻层、P型半导体层（1）以及铝层（4），所述外延片高阻层的厚度为45-50μm。本实用新型的整流管芯片，其正向压降在5000A条件下可小于1.05V，反向阻断电压大于200V，性能优越，完全可替代进口芯片。本实用新型的整流管芯片适于大批量生产，最终封装合格率高，成本降低，产品可靠性高，性能优越，可替代国外进口芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 整流管 芯片 | ||
【主权项】：
整流管芯片，其特征是，包括依次层叠的钼片层（5）、电阻率为10‑15Ωcm的外延片高阻层、P型半导体层（1）以及铝层（4），其中所述外延片厚度为45‑50μm。
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