[实用新型]整流管芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及整流管，具体地，涉及一种整流管芯片，属半导体器件领域。 

背景技术

通常整流管芯片，尤其是大功率低压高电流密度整流管(7100A/200V)芯片采用直拉单晶和纸源扩散的方法制造，但是这种方法制造出来的整流管芯片存在方方面面的缺陷，例如扩散时间长，晶体缺陷多，PN结不平整，体电阻大，造成器件的压降大，可靠性下降。 

鉴于现有技术的上述缺陷，需要设计一种新型的整流管芯片。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种新型的整流管芯片，以克服现有技术的上述缺陷，该整流管芯片晶体缺陷少、压降小，工作可靠性高。 

上述目的通过如下技术方案实现：整流管芯片，包括依次层叠的钼片层、电阻率为10-15Ωcm的外延片高阻层、P型半导体扩散层以及铝层，其中所述外延片高阻层的厚度为45-50μm。 

具体地，所述外延片层包括相互层叠的N-型外延片层和N+型外延片层。 

选择地，所述整流管芯片还包括用于保护该整流管芯片台面的台面保护膜。 

优选地，所述整流管芯片的P型扩散结深为15-18μm，表面方块电阻为20-30Ω。 

优选地，所述整流管芯片的直径为47.95-48.05mm。 

优选地，所述钼片层得厚度为1.15-1.25mm。 

本实用新型的整流管芯片，其正向压降在5000A条件下可小于1.05V，反向阻断电压大于200V，性能优越，完全可替代进口芯片。本发明的整流管芯片适于大批量生产，最终封装合格率高，成本降低，产品可靠性高，性能优越，可替代国外进口芯片。 

附图说明

图1为本实用新型具体实施方式的整流管芯片的结构示意图。 

图中：1P型半导体扩散层；2N+型外延片层；3N-型外延片层；4铝层；5钼片层。 

具体实施方式

以下结合附图描述本实用新型整流管芯片的具体实施方式。 

参见图1所示，本实用新型的整流管芯片包括依次层叠的钼片层5、外延片高阻层、P型半导体扩散层1以及铝层4，所述外延片高阻层的电阻率为10-15Ωcm，厚度为45-50μm。 

具体地，所述外延片层包括相互层叠的N-型外延片层3和N+型外延片层2，在图1中符号EPI代表外延片层，其含义对于本领域技术人员是熟知的。 

所述整流管芯片还包括用于保护该整流管芯片台面的台面保护膜。 

优选地，所述整流管芯片的P型扩散结深为15-18μm，表面方块电阻为20-30Ω。 

优选地，所述整流管芯片的直径为48mm，公差可以为±0.05mm，即47.95-48.05mm。 

优选地，所述钼片层得厚度为1.2mm，公差可以为±0.05mm，即1.15-1.25mm。 

本实用新型的上述整流管芯片可以首先选择外延片高阻层电阻率10-15Ωcm的N+外延片作为加工材料，进行P型扩散，结深15-18微米，表面方块电阻为20-30Ω，再依次进行背面减薄硅片到200微米、割圆、烧结、铝蒸发、 台面造型、台面钝化测试工序，从而制得本实用新型的整流管芯片。 

本实用新型的上述整流管芯片，其正向压降在5000A条件下可小于1.05V，反向阻断电压大于200V，性能优越，完全可替代进口芯片。本发明的整流管芯片适于大批量生产，最终封装合格率高，成本降低，产品可靠性高，性能优越，可完全替代国外进口芯片。 

在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，可以通过任何合适的方式进行任意组合，其同样落入本实用新型所公开的范围之内。同时，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。此外，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。本实用新型的保护范围由权利要求限定。