[实用新型]整流管芯片有效
| 申请号： | 201120151378.3 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN202120921U | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高占成;徐爱民;顾标琴 | 申请（专利权）人： | 润奥电子（扬州）制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/86 | 分类号： | H01L29/86;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所(普通合伙) 32222 | 代理人： | 孙忠明 |
| 地址： | 225006 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.整流管芯片，其特征是，包括依次层叠的钼片层（5）、电阻率为10-15Ωcm的外延片高阻层、P型半导体层（1）以及铝层（4），其中所述外延片厚度为45-50μm。
2.根据权利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述外延片层包括相互层叠的N-型外延片层（3）和N+型外延片层（2）。
3.根据权利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述整流管芯片还包括用于保护该整流管芯片台面的台面保护膜（6）。
4.根据权利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述整流管芯片的P型扩散结深为15-18μm，表面方块电阻为20-30Ω。
5.根据权利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述整流管芯片的直径为47.95-48.05mm。
6.根据权利要求1所述的整流管芯片，其特征是，所述钼片层得厚度为1.15-1.25mm。
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