[实用新型]功率MOS桥式电路有效
| 申请号： | 201120111437.4 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN202008999U | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 高广亮;王建翼;杜秀杰;周俊辉 | 申请（专利权）人： | 锦州辽晶电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/373;H01L23/31 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种功率MOS桥式电路，包括管壳，焊接在管壳上的陶瓷基片，焊接在陶瓷基片上的钼片，功率MOS管芯片、构成栅极保护电路的稳压二极管芯片和栅极限流电阻，其特殊之处是：功率MOS管芯片和稳压二极管芯片焊接在钼片上，所述的栅极限流电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的管壳底板为钨铜板，陶瓷基片为氧化铍陶瓷或氧化铝陶瓷，所述的栅极限流电阻、功率MOS管芯片和稳压二极管芯片之间采用金属丝互连。优点是：体积小、重量轻，具有良好的散热效果，可保证器件的稳定性和可靠性；可单独作为功率器件使用，通过组合可构成各种全桥或三相桥式电路，便于维修，方便拆卸。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mos 电路 | ||
【主权项】：
一种功率MOS桥式电路，包括管壳，焊接在管壳上的陶瓷基片，焊接在陶瓷基片上的钼片，功率MOS管芯片、构成栅极保护电路的稳压二极管芯片和栅极限流电阻，其特征是：功率MOS管芯片和稳压二极管芯片焊接在钼片上，所述的栅极限流电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的管壳底板为钨铜板，陶瓷基片为氧化铍陶瓷或氧化铝陶瓷，所述的栅极限流电阻、功率MOS管芯片和稳压二极管芯片之间采用金属丝互连。
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