[实用新型]功率MOS桥式电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体混合电路器件，尤其涉及一种大功率MOS桥式电路。

背景技术

普通半桥或全桥等桥式电路多为功率较小的无源器件构成，控制起来极为不方便，因此无法应用到逆变、调压等电路当中；目前大多数是通过多个MOS管进行组合使用来实现。由于MOS管的特殊性，需要增加额外的保护电路，且需要外加散热片，占用空间大，组装繁琐。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种体积小、重量轻、散热性好，可保证器件的稳定性和可靠性的功率MOS桥式电路。

本实用新型涉及的功率MOS桥式电路，包括管壳，焊接在管壳上的陶瓷基片，焊接在陶瓷基片上的钼片，功率MOS管芯片、构成栅极保护电路的稳压二极管芯片和栅极限流电阻，其特殊之处是：功率MOS管芯片和稳压二极管芯片焊接在钼片上，所述的栅极限流电阻为贴片式电阻并且焊接在陶瓷基片上，所述的管壳底板为钨铜板，陶瓷基片为氧化铍陶瓷或氧化铝陶瓷，所述的栅极限流电阻、功率MOS管芯片和稳压二极管芯片之间采用金属丝互连。

本实用新型的优点是：将功率MOS管的栅极保护电路与功率MOS管集成在一起，体积小、重量轻；由于管壳底板为钨铜板，陶瓷基片为氧化铍陶瓷或氧化铝陶瓷，两者具有相匹配的膨胀系数，具有良好的散热效果，可保证器件的稳定性和可靠性；可单独作为功率器件使用，通过组合可构成各种全桥或三相桥式电路，便于维修，方便拆卸。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是图1（去掉管帽）的俯视图；

图3是本实用新型的电路图；

图中：管壳1、陶瓷基片2、稳压二极管芯片3、金属丝4、栅极限流电阻5、可伐片6、功率MOS管芯片7、钼片8。

具体实施方式

如图所示，本实用新型包括管壳1，设在管壳1上的陶瓷基片2，设在陶瓷基片2上的钼片8、栅极限流电阻5和可阀片6，设在钼片8上的功率MOS管芯片7和稳压二极管芯片3，所述的栅极限流电阻5和稳压二极管芯片3构成栅极保护电路，其中管壳1的底板为钨铜板，陶瓷基片2为氧化铍陶瓷（或氧化铝陶瓷），陶瓷基片2与管壳1之间、钼片8与陶瓷基片2之间、功率MOS管芯片7和稳压二极管芯片3与钼片8之间采用合金焊料烧结而成，栅极限流电阻5为贴片式电阻且与陶瓷基片2之间通过焊锡焊接，栅极限流电阻5、稳压二极管芯片3和功率MOS管芯片7之间以及所述元器件和引线之间的电连接通过金属丝4互连。