[实用新型]高密度铟连接半导体激光器无效
| 申请号： | 201120039055.5 | 申请日： | 2011-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN202025982U | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 傅高升;林绍义 | 申请（专利权）人： | 福建交通职业技术学院 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350007 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种高密度铟连接半导体激光器，在洁净的金属材质的结构件一位置上，具有阵列高度为大于5μm，小于100μm，且高度差小于5％、间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱，发光元件与结构件一的高密度铟柱通过固化胶固化在一起，结构件一与结构件二固定在一起，外接引线一和外接引线三穿过绝缘套管后与在结构件二的相应通孔位置固定在一起，外接引线二与结构件二的相应通孔位置固定在一起，导线一与发光元件的负极和外接引线一通过焊接方式固连在一起。它具有结构简单，体积小，功率大，稳定性好，适用性强，使用方便，价格合理等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 连接 半导体激光器 | ||
【主权项】：
高密度铟连接半导体激光器，其特征在于：结构组件由发光元件(1)，铟柱(2)，固化胶(3)，导线一(4)，外接引线一(5)，结构件一(6)，导线二(7)，反馈元件光伏探测器(8)，结构件二(9)，绝缘套管(10)，外接引线二(11)，外接引线三(12)组成，在洁净的金属材质的结构件一(6)位置上，具有阵列高度为大于5μm，小于100μm，且高度差小于5％、间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱(2)，发光元件(1)与结构件一(6)的高密度铟柱(2)通过固化胶(3)固化在一起，结构件一(6)与结构件二(9)固定在一起，外接引线一(5)和外接引线三(12)穿过绝缘套管(10)后与在结构件二(9)的相应通孔位置固定在一起，外接引线二(11)与结构件二(9)的相应通孔位置固定在一起，导线一(4)与发光元件(1)的负极和外接引线一(5)通过焊接方式固连在一起。
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