[实用新型]高密度铟连接半导体激光器无效
| 申请号： | 201120039055.5 | 申请日： | 2011-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN202025982U | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 傅高升;林绍义 | 申请（专利权）人： | 福建交通职业技术学院 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042;H01S5/028 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350007 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 连接 半导体激光器 | ||
【权利要求书】：
1.高密度铟连接半导体激光器，其特征在于：结构组件由发光元件(1)，铟柱(2)，固化胶(3)，导线一(4)，外接引线一(5)，结构件一(6)，导线二(7)，反馈元件光伏探测器(8)，结构件二(9)，绝缘套管(10)，外接引线二(11)，外接引线三(12)组成，在洁净的金属材质的结构件一(6)位置上，具有阵列高度为大于5μm，小于100μm，且高度差小于5％、间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱(2)，发光元件(1)与结构件一(6)的高密度铟柱(2)通过固化胶(3)固化在一起，结构件一(6)与结构件二(9)固定在一起，外接引线一(5)和外接引线三(12)穿过绝缘套管(10)后与在结构件二(9)的相应通孔位置固定在一起，外接引线二(11)与结构件二(9)的相应通孔位置固定在一起，导线一(4)与发光元件(1)的负极和外接引线一(5)通过焊接方式固连在一起。
2.根据权利要求书1所述的高密度铟连接半导体激光器，其特征在于：结构件一(6)和结构件二(9)可以是一个结构件。
3.根据权利要求书1和2所述的高密度铟连接半导体激光器，其特征在于：结构件一(6)是利用金属材料制作而成，表面为镀1层或镀多层的镀层。
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