[实用新型]高密度铟连接半导体激光器

说明书

技术领域

本发明属于半导体激光器，确切地说，它涉及利用受激发作用的器件领域。

背景技术

目前，在半导体激光器(Laser Diode，简称LD)领域，体积小，功率大已成为实际应用和生产发展趋势，并已成为各国发展方向。由于体积小，功率大，半导体激光器在工作时发热部位集中，热应力作用影响大，激光器的热稳定性问题和结构设计匹配问题已上升到重要位置，并对激光器的光束质量和功率稳定性带来了严重影响。

高功率(≥2W)，高亮度，低噪声，热稳定性高的高功率半导体激光器一直是国内外激光领域里的前沿课题。国内外低噪声和热稳定性较高的高功率半导体激光器已见报导，国内在2007年开始试制和试生产2W以上的TO封装和C封装等形式的低噪声和热稳定性较高的半导体连续激光器。目前国内外普遍采用普通金属或合金材料制作结构组件，将发光元件直接放置在结构组件上的技术制作1W以上的半导体激光器；由于高功率TO封装和C封装等形式的半导体激光器在长时间连续工作时发热部位集中，功率密度大，热应力作用影响大，其输出激光光束质量和发散角随连续工作时间长短而变化，其实质原因是热应力和热稳定性问题，因此，目前急需设计新的激光器结构模型，生产和应用都遇到瓶颈。

本发明的目的在于发明一种高密度铟连接半导体激光器。

发明内容

本发明的任务是这样实现的，它是在克服了现有的TO封装和C封装等封装形式的半导体激光器不足基础上而完成的，结构组件由发光元件，铟柱，固化胶，导线一，外接引线一，结构件一，导线二，反馈元件光伏探测器，结构件二，绝缘套管，外接引线二，外接引线三组成，在洁净的金属材质的结构件一位置上，具有阵列高度为大于5μm，小于100μm，且高度差小于5％、间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的铟柱，发光元件与结构件一的高密度铟柱通过固化胶固化在一起，结构件一与结构件二固定在一起，外接引线一和外接引线三穿过绝缘套管后与在结构件二的相应通孔位置固定在一起，外接引线二与结构件二的相应通孔位置固定在一起，导线一与发光元件的负极和外接引线一通过焊接方式固连在一起。

本发明的有益效果是，结构简单，体积小，适用性强，使用方便，价格合理的特点。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步说明。

图1为本发明实施例1的结构剖面简图。

图2为本发明实施例1的图1的俯视图。

图3为本发明实施例1的高密度铟柱连接的结构简图。

图4为本发明实施例1的高密度长方体状铟柱结构简图。

图5为本发明实施例2的结构剖面简图。

图6为本发明实施例3的结构简图。

图7为本发明实施例3的结构件一的结构简图。

图8为本发明实施例4的结构简图。

图9为本发明实施例4的结构件二的结构简图。

在图中，1为发光元件，2.铟柱，3.固化胶，4.导线一，5.外接引线一，6.结构件一，7.导线二，8.反馈元件光伏探测器，9.结构件二，10.绝缘套管，11.外接引线二，12.外接引线三，13.绝缘零件，14.外接引线四。

本发明是由发光元件1，铟柱2，固化胶3，导线一4，外接引线一5，结构件一6，导线二7，反馈元件光伏探测器8，结构件二9，绝缘套管10，外接引线二11，外接引线三12组成，在洁净的金属材质的结构件一6合适位置上应用阵列技术进行阵列高度大于5μm小于100μm且高度差小于5％、间隔尺寸小于100μm的表面光滑且不易氧化的高密度铟柱2，将发光元件1正确安装在结构件一6的高密度铟柱2并用固化胶3进行固化，将结构件一6固定在结构件二9合适位置上，并且发光元件1的正极与结构件二9导电性能良好，将外接引线一5和外接引线三12穿过绝缘套管10后固定在结构件二9的相应通孔位置，将外接引线二11固定在结构件二9的相应通孔位置并与结构件二9导电性能良好，用导线一4将发光元件1的负极和外接引线一5焊接连接起来，将反馈元件光伏探测器8固定在结构件二9的合适位置上且反馈元件光伏探测器的负极与结构件二9导电性能好，将导线二7的一端与外接引线三12焊接连接，另一端与反馈元件光伏探测器8的正极焊接连接。当外接引线一5外接电源负极、外接引线二11外接电源正极接通电源，发光元件1得到电源，发射出所需的激光束。