[实用新型]一种多晶硅晶体生长炉加热装置无效
| 申请号： | 201120023124.3 | 申请日： | 2011-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN202030861U | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张帆;张元成;丁红波;管宇骎;葛江文;管文礼 | 申请（专利权）人： | 管文礼 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 刘喜莲 |
| 地址： | 222000 江苏省连云港*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型是一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特征在于：它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。它通过顶部加热器和四周侧加热器组成两个独立控制的双热场，根据硅溶体在坩埚内的长晶过程中，上中下区域所需不同的温度，两个独立的功率控制器分别调整加热器功率的输出大小，并通过长晶器温度的调节，形成晶体生长的温度梯度和热壁效应，其温度梯度的调整范围大，排杂效果好，方便优化热场，有利于晶体的生长质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 晶体生长 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特征在于：它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于管文礼，未经管文礼许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120023124.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
