[实用新型]一种多晶硅晶体生长炉加热装置

说明书

技术领域

 本实用新型涉及一种新型的多晶硅晶体生长炉，特别是一种一种多晶硅晶体生长炉加热装置。

背景技术

多晶硅晶体生长炉是将硅原料经过加热、长晶、退火等工艺使硅定向凝固，通过控制热场的温度变化形成单方向的热流，从而形成定向的柱状晶体。目前热场的加热方式主要有两种结构，一种是一组四周加热器或四周侧加热器和顶部加热器组成的单热场结构。在生产过程中，通过调整单组功率控制器改变热场的温度。但是硅溶体在长晶过程中，从底部到顶部的温度梯度是不一样的，尤其在晶体长到接近顶部时，要保证顶部的温度梯度，才能提高硅锭的利用率，由于单热场结构是用一个控制器进行调整，难以满足长晶全过程的不同区域的温度梯度。另一种热场是底部加热器和顶部加热器分别进行控制组成双热场结构，分别通过调整功率控制器，改变热场的上部和下部的温度，但是由于下加热器是通过长晶器对硅料进行间接加热，存在热效率不高，同时顶部加热器始终是热场的主加热源，抑制了从硅溶体表面排出凝固点低的杂质的对流，另外在硅溶体的四周无法形成热壁，固液界面呈凹形，不利于硅溶体内部杂质的排出，影响电池的转化效率。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提出了一种有利于热场形成温度梯度和硅溶体内外部杂质排出的多晶硅晶体生长炉加热装置。

本实用新型要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的。本实用新型是一种多晶硅晶体生长炉加热装置，其特点是：它包括由顶部加热器和侧部加热器，所述的顶部加热器设在晶体生长炉坩埚的顶部，顶部加热器连接顶部加热器电极，所述的侧部加热器设在坩埚的四周，侧部加热器连接侧部加热器电极，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。

以上所述的多晶硅晶体生长炉加热装置中，其优选的技术方案是：所述的侧部加热器通过连接器固定连接，所述的侧部加热电极连接在连接器上。

本实用新型多晶硅晶体生长炉加热装置是一种双热场结构，它通过顶部加热器和四周的侧部加热器组成两个独立控制的双热场，根据硅溶体在坩埚内的长晶过程中，上中下区域所需不同的温度，两个独立的功率控制器分别调整加热器功率的输出大小，并通过长晶器温度的调节，形成晶体生长的温度梯度和热壁效应。本实用新型温度梯度的调整范围大，排杂效果好，方便优化热场，有利于晶体生长的质量。 

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图。 

具体实施方式

以下参照附图，进一步描述本实用新型的具体技术方案，以便于本领域的技术人员进一步地理解本发明，而不构成对其权利的限制。

实施例1。参照图1。一种多晶硅晶体生长炉加热装置，它包括由顶部加热器5和侧部加热器1，所述的顶部加热器5设在晶体生长炉的坩埚2的顶部，顶部加热器5上连接有顶部加热电极6，所述的侧部加热器1设在坩埚2的四周，侧部加热器1上连接有顶部加热电极4，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。

实施例2。参照图1。一种多晶硅晶体生长炉加热装置，它包括由顶部加热器5和侧部加热器1，所述的顶部加热器5设在晶体生长炉的坩埚2的顶部，顶部加热器5上连接顶部加热电极6，所述的侧部加热器1设在坩埚2的四周，侧部加热器1通过连接器3固定连接，侧部加热电极4连接在连接器3上，所述的顶部加热电极和侧部加热电极分别与变压器和控制器相连接。