[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法无效
| 申请号： | 201110461873.9 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103779209A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赵淑云;郭海成;王文 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：1)形成多晶硅薄膜；2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；5)在沉积100nm的低温氧化物作为栅极绝缘层；6)形成栅电极；7)掺杂，形成源漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括：1)形成多晶硅薄膜；2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；5)沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；6)形成栅电极；7)掺杂，形成源漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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