[发明专利]一种多晶硅薄膜晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

1)形成多晶硅薄膜；

2)在多晶硅薄膜上形成掩膜；

3)离子注入，在多晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；

4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；

5)沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；

6)形成栅电极；

7)掺杂，形成源漏极。

2.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

1)形成非晶硅薄膜，并在非晶硅薄膜上形成掩膜；

2)离子注入，在非晶硅薄膜中形成掺杂的导电带或导电线；

3)使非晶硅薄膜晶化，形成多晶硅薄膜；

4)将步骤3)获得的多晶硅薄膜图案化成有源岛；

5)沉积低温氧化物作为栅极绝缘层；

6)在栅极绝缘层上形成栅电极；

7)掺杂，形成源漏极。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中在425℃经LPCVD沉积所述低温氧化物。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中步骤6)包括在栅极绝缘层上形成300nm的铝，再图案化成栅电极。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中步骤6)包括在栅极绝缘层上形成280nm的多晶硅，再图案化成栅电极。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中对P型TFT的源漏极进行剂量为4×10¹⁵/cm²的硼掺杂。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中对N型TFT的源漏极进行剂量为4×10¹⁵/cm²的磷掺杂。

8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中还包括步骤8)沉积一层500nm的低温氧化物隔离层，同时激活掺杂物。

9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中还包括步骤9)刻蚀接触孔，然后溅射一层700nm的铝-1％硅的接触导线并图案化。

10.根据权利要求1或2所述的制备方法，其中栅极绝缘层的厚度为100nm。