[发明专利]半导体工艺常温铝蚀刻制程有效
| 申请号： | 201110458141.4 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103774148A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 魏臻 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/20 | 分类号： | C23F1/20 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体工艺常温铝蚀刻制程，包括如下步骤：a)准备过程：准备反应容器、去离子水、盐酸、硝酸、阴离子表面活性剂；b)制备过程：依次在所述的反应容器中加入去离子水、盐酸、硝酸以及用于输送刻蚀液中的刻蚀反应物的阴离子表面活性剂；c)制备过程：均匀搅拌后于室温中静置；d)蚀刻过程：放入待蚀刻铝样品进行蚀刻反应。本发明旨在提供其他方法来达到有效刻蚀铝的目的，以达到扩大铝刻蚀时的选择范围，从而使有效刻铝的药品的品种更加多样化，以满足不同情况下的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 常温 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于，包括如下步骤：a)准备过程：准备反应容器、去离子水、盐酸、硝酸、阴离子表面活性剂；b)制备过程：依次在所述的反应容器中加入去离子水、盐酸、硝酸以及用于输送刻蚀液中的刻蚀反应物的阴离子表面活性剂；c)制备过程：均匀搅拌后于室温中静置；d)蚀刻过程：放入待蚀刻铝样品进行蚀刻反应。
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