[发明专利]半导体工艺常温铝蚀刻制程有效
| 申请号： | 201110458141.4 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103774148A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 魏臻 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技(苏州)有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/20 | 分类号： | C23F1/20 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 张利强 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 常温 蚀刻 | ||
1.一种半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于，包括如下步骤：
a)准备过程：准备反应容器、去离子水、盐酸、硝酸、阴离子表面活性剂；
b)制备过程：依次在所述的反应容器中加入去离子水、盐酸、硝酸以及用于输送刻蚀液中的刻蚀反应物的阴离子表面活性剂；
c)制备过程：均匀搅拌后于室温中静置；
d)蚀刻过程：放入待蚀刻铝样品进行蚀刻反应。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于：所述的盐酸浓度为36%-38%。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于：所述的硝酸浓度为69%-72%。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于：所述的阴离子表面活性剂包括十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基苯磺酸钠中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于：所述的盐酸与硝酸的比例范围在5：1到10：1之间，所述的去离子水的体积等于所述的盐酸与硝酸体积总和；当溶液体积在1至2升范围内时，添加1.5至2克的阴离子表面活性剂。
6.根据权利要求5所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于：所述的盐酸与硝酸的比例为5：1，溶液中添加有1.8g的十二烷基磺酸钠。
7.根据权利要求1所述的半导体工艺常温铝蚀刻制程，其特征在于：搅拌均匀后在室温下静置直至与室温平衡。
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